Документация
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
565 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:565 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 278,47 |
| от 5 | 274,94 |
| от 10 | 270,49 |
| от 19 | 264,53 |
| от 60 | 256,28 |
Описание
Биполярный транзистор IGBT от ON Semiconductor на 600 В и 40 А. Модель выдерживает мощность до 290 Вт, имеет время спада менее 40 нс и напряжение насыщения ниже 1,8 В. Выполнен в корпусе TO-247. Подходит для импульсных источников питания и силовой промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Корпус | TO-247 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 130ns |
| Время нарастания | 44ns |
| Описание | 600 V, 40 A Field Stop IGBT |
| Артикул | FGH40N60UFDTU |
| Применение | Solar Inverter, UPS, Welder, PFC, Microwave Oven, Telecom, ESS |
| Вх. емкость | 2110pF |
| Полный заряд затвора | 120nC |
| Выходная емкость | 200pF |
| Время задержки включения | 24ns |
| Gate emitter charge | 14nC |
| Время задержки выключения | 112ns |
| Total switching loss | 1.65mJ |
| Gate collector charge | 58nC |
| Turn on switching loss | 1.09mJ |
| Collector current tc 25 | 80A |
| Power dissipation tc 25 | 290W |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Turn off switching loss | 0.46mJ |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Collector current tc 100 | 40A |
| Ток отсечки коллектора | 250µA |
| Power dissipation tc 100 | 116W |
| Pulsed collector current | 120A |
| Voltage gate emitter max | ±20V |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 6.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 4.0V |
| Тип. пороговое Uзи | 5.0V |
| Температура пайки выводов | 300°C |
| Diode forward voltage tc 25 | 1.95V |
| Diode forward voltage tc 125 | 1.85V |
| Gate emitter leakage current | ±400nA |
| Обратная проходная емкость | 60pF |
| Описание (англ.) | IGBT+D 600V, 40A, 290W, Tf<40ns, Usat<1.8V |
| Напряжение коллектор-эмиттер макс. | 600V |
| Diode reverse recovery time tc 25 | 45ns |
| Diode reverse recovery time tc 125 | 140ns |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 600V |
| Diode reverse recovery charge tc 25 | 75nC |
| Diode reverse recovery charge tc 125 | 375nC |
| Термосопротивление переход-среда | 40°C/W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 2.4V |
| Тип. напряжение насыщения К-Э | 1.8V |
| Thermal resistance junction to case igbt | 0.43°C/W |
| Thermal resistance junction to case diode | 1.45°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?