Документация
FGH40N60SFD TO-247 ON/FSC транзистор биполярный (арт. 070648)
У поставщика
ПроизводительFairchild
У поставщиков
600 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:600 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 30
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 382,31 |
Описание
Транзистор биполярный FGH40N60SFD производства Fairchild (ON Semiconductor) выполнен в корпусе TO-247. Это мощный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), рассчитанный на высокие токи и напряжения, что делает его пригодным для силовой электроники. Компонент отличается низким напряжением насыщения и высокой скоростью переключения, применяется в импульсных источниках питания, сварочных инверторах и приводах двигателей.
Технические характеристики
| Тип | IGBT |
| Тип | IGBT |
| Ток | 40 А |
| Маркировка | FGH40N60SFD |
| Корпус | TO-247 |
| Тип монтажа | THT |
| Артикул | FGH40N60SFD |
| Производитель | Fairchild Semiconductor (ON Semiconductor) |
| Корпус | TO-247 |
| Монтаж | Выводной |
| Fall time 25c | 35ns |
| Код заказа | FGH40N60SFDTU |
| Rise time 25c | 42ns |
| Fall time 125c | 40ns |
| Rise time 125c | 43ns |
| Вх. емкость | 2110pF |
| Полный заряд затвора | 120nC |
| Выходная емкость | 200pF |
| Gate emitter charge | 14nC |
| Напряжение | 600 В |
| Gate collector charge | 58nC |
| Turn on delay time 25c | 25ns |
| Turn off delay time 25c | 115ns |
| Turn on delay time 125c | 24ns |
| Collector current pulsed | 120A |
| Gate emitter voltage max | ±20V |
| Power dissipation at 25c | 290W |
| Total switching loss 25c | 1.44mJ |
| Turn off delay time 125c | 120ns |
| Power dissipation at 100c | 116W |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Total switching loss 125c | 1.62mJ |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 6.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 4.0V |
| Тип. пороговое Uзи | 5.0V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Температура пайки выводов | 300°C |
| Diode forward voltage at 25c | 1.95V |
| Обратная проходная емкость | 60pF |
| Макс. напр. К-Э | 600V |
| Diode forward voltage at 125c | 1.85V |
| Diode forward voltage max at 25c | 2.6V |
| Diode reverse recovery time at 25c | 45ns |
| Collector current continuous at 25c | 80A |
| Diode reverse recovery time at 125c | 140ns |
| Collector current continuous at 100c | 40A |
| Diode reverse recovery charge at 25c | 75nC |
| Diode reverse recovery charge at 125c | 375nC |
| Термосопротивление переход-среда | 40°C/W |
| Breaker voltage temperature coefficient | 0.6V/°C |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 2.9V |
| Тип. напряжение насыщения К-Э | 2.3V |
| Thermal resistance junction to case igbt | 0.43°C/W |
| Thermal resistance junction to case diode | 1.45°C/W |