Документация
FGH40N60SFD TO-247 ON/FSC транзистор биполярный (арт. 070648)
У поставщика
ПроизводительFairchild
У поставщиков
600 шт.
Норм. уп.: 30
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 29срок до 10 дн.
Цена за шт356,43 ₽
Сумма10 692,90 ₽
В наличии600 шт
заказ со склада от 3 000,00 ₽упаковка 30 штюрлицам и ИП
Заказ со склада «Склад 29» с этой позицией — 10 692,90 ₽: минимальная сумма склада набрана.
30 шт · Склад 29 · 10 692,90 ₽
Описание
Транзистор биполярный FGH40N60SFD производства Fairchild (ON Semiconductor) выполнен в корпусе TO-247. Это мощный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), рассчитанный на высокие токи и напряжения, что делает его пригодным для силовой электроники. Компонент отличается низким напряжением насыщения и высокой скоростью переключения, применяется в импульсных источниках питания, сварочных инверторах и приводах двигателей.
Технические характеристики
| Тип | IGBT |
| Тип | IGBT |
| Ток, А | 40 А |
| Маркировка | FGH40N60SFD |
| Корпус | TO-247 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Артикул | FGH40N60SFD |
| Производитель | Fairchild Semiconductor (ON Semiconductor) |
| Время спада, 25 °C | 35ns |
| Код заказа | FGH40N60SFDTU |
| Время нарастания, 25 °C | 42ns |
| Время спада 125 °C | 40ns |
| Время нарастания при 125 °C | 43ns |
| Вх. емкость | 2110pF |
| Полный заряд затвора | 120nC |
| Выходная емкость | 200pF |
| Заряд затвор-эмиттер | 14nC |
| Напряжение, В | 600 В |
| Заряд затвор-коллектор | 58nC |
| Задержка включения при 25 °C | 25ns |
| Задержка выключения при 25 °C | 115ns |
| Время задержки включения, 125 °C | 24ns |
| Импульсный ток коллектора | 120A |
| Напряжение затвор-эмиттер, макс. | ±20V |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 290W |
| Total switching loss 25c | 1.44mJ |
| Время задержки выключения, 125 °C | 120ns |
| Power dissipation at 100c | 116W |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Total switching loss 125c | 1.62mJ |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 6.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 4.0V |
| Тип. пороговое Uзи | 5.0V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Температура пайки выводов | 300°C |
| Diode forward voltage at 25c | 1.95V |
| Обратная проходная емкость | 60pF |
| Макс. напр. К-Э | 600V |
| Diode forward voltage at 125c | 1.85V |
| Diode forward voltage max at 25c | 2.6V |
| Diode reverse recovery time at 25c | 45ns |
| Collector current continuous at 25c | 80A |
| Diode reverse recovery time at 125c | 140ns |
| Collector current continuous at 100c | 40A |
| Diode reverse recovery charge at 25c | 75nC |
| Diode reverse recovery charge at 125c | 375nC |
| Термосопротивление переход-среда | 40°C/W |
| Breaker voltage temperature coefficient | 0.6V/°C |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 2.9V |
| Тип. напряжение насыщения К-Э | 2.3V |
| Тепловое сопротивление кристалл-корпус, IGBT | 0.43°C/W |
| Тепловое сопротивление кристалл-корпус, диод | 1.45°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?