ТРАНЗИСТОРЫ FF200R12KT4HOSA1, IGBT модуль Infineon Technologies, 1200 В, 320 А, 1100 Вт, корпус Screw Mount Module 62 mm
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияIGBT модули
У поставщиков
110 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:110 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 6 479,63 |
| от 2 | 6 270,58 |
| от 4 | 6 130,75 |
| от 7 | 6 007,74 |
| от 20 | 5 924,57 |
Описание
Транзисторный IGBT-модуль FF200R12KT4HOSA1 производства Infineon Technologies. Компонент рассчитан на напряжение 1200 В и ток 320 А, рассеиваемая мощность составляет 1100 Вт. Выполнен в стандартном корпусе 62 мм с креплением под винт (Screw Mount Module). Предназначен для использования в мощных преобразователях частоты, сварочном оборудовании и силовых приводах.
Технические характеристики
| Тип | IGBT |
| Ток | 200 A |
| Корпус | модуль |
| Монтаж | Выводной |
| Напряжение | 1200 V |