+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
FDV304P
Документация

Транзистор полевой MOSFET P-канальный 25В 460мА, 0.35Вт

Артикул:775015
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
12 447 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:12 447 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 80 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 18,79
от 3457,75
от 6896,91
от 1 3776,23
от 3 0005,78
Описание

Транзистор полевой MOSFET P-канальный от ON Semiconductor. Работает при напряжении до 25 В, токе до 460 мА и мощности 0,35 Вт. Выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации нагрузок в портативной и бытовой электронике.

Технические характеристики
Мощность, Вт0,35
Ток, А0,0045
Маркировка304
КорпусSOT-23
Напряжение, В-8
Тип монтажаSMD
ESD рейтингHuman body model: 6kV
СопротивлениеStatic drain source on resistance vgs 2.7v: 1.5Ω (max), 1.22Ω (typ); Static drain source on resistance vgs 4.5v: 1.1Ω (max), 0.87Ω (typ); Static drain source on resistance vgs 4.5v tj 125c: 2Ω (max), 1.21Ω (typ)
ЁмкостьВх. емкость: 63pF; Выходная емкость: 34pF; Обратная проходная емкость: 10pF
ОписаниеDigital FET, P-Channel MOSFET
Gate chargeЗаряд сток-затвор: 0.25nC; Полный заряд затвора: 1.5nC (max), 1.1nC (typ); Заряд затвор-исток: 0.32nC
АртикулFDV304P
Напр. диода-1.2V (max), -0.89V (typ)
Тепл. хар-киТермосопротивление переход-среда: 357°C/W; Диапазон раб. и темп. хранения: -55 to 150°C
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Прямая крутизна0.8S
Gate body leakage current-100nA (max)
Switching characteristicsВремя нарастания: 20ns (max), 8ns (typ); Время спада: 70ns (max), 35ns (typ); Время задержки включения: 20ns (max), 7ns (typ); Время задержки выключения: 110ns (max), 55ns (typ)
Описание (англ.)MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23
Zero gate voltage drain current-1µA (max) at 25°C, -10µA at 55°C
Gate threshold temperature coefficient2.1mV/°C
Breakdown voltage temperature coefficient-22mV/°C

Заметили ошибку в описании или параметрах?