+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В

Транзисторы и сборки MOSFET FDV303N-VB

Артикул:321128
У поставщика
ПроизводительVBSEMI
У поставщиков
4 043 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:4 043 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 12,08
Описание

FDV303N-VB — полевой MOSFET-транзистор от производителя VBSEMI, выполненный в компактном корпусе для поверхностного монтажа. Компонент отличается низким сопротивлением открытого канала и предназначен для коммутации небольших токов в цепях постоянного тока. Благодаря малым габаритам и экономичному потреблению подходит для портативной электроники, схем управления питанием и в качестве ключа в различной автоматике.

Технические характеристики
ТипMOSFET
Ток0.68 А
КорпусSOT-23
МонтажSMD
Мощность0.35 Вт
Напряжение30 В

Заметили ошибку в описании или параметрах?