Документация
Транзистор FDV303N
Нет в наличии
Описание
Транзистор FDV303N от ONS-FAIR — N-канальный полевой MOSFET с управляющим PN-переходом. Выполнен в миниатюрном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа, рассчитан на постоянный ток стока до 0,68 А и импульсный до 2 А. Подходит для коммутации нагрузок в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Технология | DMOS |
| Артикул | FDV303N |
| Заряд сток-затвор | 0.45nC |
| Вх. емкость | 50pF |
| Полный заряд затвора | 1.64nC |
| Время нарастания | 8.5ns |
| Заряд затвор-исток | 0.38nC |
| Выходная емкость | 28pF |
| Время спада | 13ns |
| Время задержки включения | 3ns |
| Время задержки выключения | 17ns |
| Drain current pulsed | 2A |
| Макс. рассеиваемая мощность | 0.35W |
| Напряжение затвор-исток макс. | 8V |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Drain current continuous | 0.68A |
| Макс. напряжение сток-исток | 25V |
| Прямая крутизна | 1.45S |
| Gate body leakage current | 100nA |
| Макс. раб. темп. | 150°C |
| Мин. раб. темп. | -55°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 1.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 0.65V |
| Тип. пороговое Uзи | 0.8V |
| Esd rating human body model | 6kV |
| On state drain current 2.7v | 0.5A |
| Обратная проходная емкость | 9pF |
| Напряжение пробоя сток-исток | 25V |
| Zero gate voltage drain current | 1µA |
| Drain source on resistance max 2.7v | 0.6Ω |
| Drain source on resistance max 4.5v | 0.45Ω |
| Drain source on resistance typ 2.7v | 0.44Ω |
| Drain source on resistance typ 4.5v | 0.33Ω |
| Drain source diode forward current max | 0.3A |
| Drain source diode forward voltage max | 1.2V |
| Drain source diode forward voltage typ | 0.83V |
| Термосопротивление переход-среда | 357°C/W |
| Тип транзистора | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
Заметили ошибку в описании или параметрах?