Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 680мА, 0.35Вт
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
13 475 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:13 475 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 122 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 5,74 |
| от 882 | 5,00 |
| от 1 764 | 4,50 |
| от 3 000 | 4,07 |
| от 9 000 | 3,83 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от ON Semiconductor. Работает при напряжении до 25 В, токе до 680 мА и мощности 0,35 Вт, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации нагрузок в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Канал (N/P) | N-Channel |
| Маркировка | 303 |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 13ns typ, 25ns max |
| Время нарастания | 8.5ns typ, 18ns max |
| Технология | DMOS |
| Описание | N-Channel enhancement mode MOSFET, Digital FET |
| Артикул | FDV303N |
| Alternative to | TN0200T, TN0201T |
| Рейтинг ЭСР HBM | 6kV |
| Заряд сток-затвор | 0.45nC |
| Вх. емкость | 50pF |
| Полный заряд затвора | 1.64nC typ, 2.3nC max (VDS=5V, ID=0.5A, VGS=4.5V) |
| Заряд затвор-исток | 0.38nC |
| Выходная емкость | 28pF |
| Время задержки включения | 3ns typ, 6ns max |
| Время задержки выключения | 17ns typ, 30ns max |
| Current drain pulsed | 2A |
| Напр. диода | 0.83V typ, 1.2V max (IS=0.5A, VGS=0V) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 0.35W |
| On state drain current | 0.5A (VGS=2.7V, VDS=5V) |
| Voltage gate source max | 8V |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Current drain continuous | 0.68A |
| Diode continuous current | 0.3A |
| Прямая крутизна | 1.45S (VDS=5V, ID=0.5A) |
| Voltage drain source max | 25V |
| Gate body leakage current | 100nA (VGS=8V, VDS=0V) |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Capacitance test condition | VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 1V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 0.65V |
| Тип. пороговое Uзи | 0.8V |
| Диап. раб. темп. | -55°C to 150°C |
| Обратная проходная емкость | 9pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23 |
| Напряжение пробоя сток-исток | 25V |
| Zero gate voltage drain current | 1µA (VGS=0V, VDS=20V); 10µA at TJ=55°C |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 26mV/°C |
| Drain source on resistance vgs 2v7 | 0.44Ω typ, 0.6Ω max (ID=0.2A) |
| Drain source on resistance vgs 4v5 | 0.33Ω typ, 0.45Ω max (ID=0.5A) |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 357°C/W |
| Рабочая температура | -50...+150C |
| Gate threshold voltage temp coefficient | -2.6mV/°C |
| Drain source on resistance vgs 4v5 tj 125 | 0.52Ω typ, 0.8Ω max |
Заметили ошибку в описании или параметрах?