Документация
Транзистор полевой FDV302P / P-канал, 0.12А, -25В, SOT-23
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
937 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:937 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 30 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 24,39 |
| от 28 | 23,51 |
| от 56 | 22,29 |
| от 112 | 20,65 |
| от 224 | 19,00 |
Описание
Транзистор полевой FDV302P от ON Semiconductor — это P-канальный MOSFET в компактном корпусе SOT-23. Компонент рассчитан на ток до 0,12 А и напряжение сток-исток -25 В. Применяется для коммутации нагрузок с низким напряжением, в схемах управления питанием и портативной электронике благодаря малому сопротивлению открытого канала.
Технические характеристики
| Тип | P-Channel MOSFET |
| Маркировка | 302 |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | P-Channel |
| Время спада | 5ns typ, 10ns max |
| Время нарастания | 8ns typ, 16ns max |
| ESD рейтинг | 6kV HBM |
| Технология | DMOS |
| Описание | P-Channel logic level enhancement mode FET, DMOS |
| Применение | Low voltage, 3V circuits; replacement for digital transistors |
| Rds on at 125c | 12Ω typ, 18Ω max |
| Gate body leakage | -100nA |
| Заряд сток-затвор | 0.04nC |
| Вх. емкость | 11pF |
| Рассеиваемая мощность | 0.35W |
| Полный заряд затвора | 0.22nC typ, 0.31nC max |
| Время нарастания | 8ns |
| Заряд затвор-исток | 0.11nC |
| Выходная емкость | 7pF |
| Rds on at vgs 2.7v | 10.6Ω typ, 13Ω max |
| Rds on at vgs 4.5v | 7.9Ω typ, 10Ω max |
| Время спада | 5ns |
| Время задержки включения | 5ns |
| Напряжение затвор-исток | -8V |
| Время задержки выключения | 9ns |
| Drain current pulsed | -0.5A |
| Напряжение сток-исток | -25V |
| Напр. диода | -1V typ, -1.5V max |
| Заряд затвора макс. | 0.31nC |
| Тип. заряд затвора | 0.22nC |
| On state drain current | -0.05A |
| Напряжение затвор-исток макс. | -8V |
| Diode continuous current | -0.2A |
| Drain current continuous | -0.12A |
| Макс. напряжение сток-исток | -25V |
| Прямая крутизна | 0.135S |
| Gate body leakage current | -100nA |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -1.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -0.65V |
| Тип. пороговое Uзи | -1V |
| Esd rating human body model | 6kV |
| Диап. раб. темп. | -55 to 150°C |
| Обратная проходная емкость | 1.4pF |
| Напряжение пробоя сток-исток | -25V |
| Continuous source diode current | -0.2A |
| Zero gate voltage drain current | -1µA |
| Drain source diode forward voltage | -1V to -1.5V |
| Drain source on resistance at vgs 2.7v | 13Ω |
| Drain source on resistance at vgs 4.5v | 10Ω |
| Junction to ambient thermal resistance | 357°C/W |
| Термосопротивление переход-среда | 357°C/W |
| Drain source on resistance at vgs 2.7v typ | 10.6Ω |
| Drain source on resistance at vgs 4.5v typ | 7.9Ω |
Заметили ошибку в описании или параметрах?