Документация
Описание
Транзистор FDV302P от Fairchild — P-канальный MOSFET. Работает при напряжении до -25 В и токе до -0,2 А, рассеивает до 0,35 Вт. Отличается быстрым переключением (время включения 5 нс) и низкой входной ёмкостью (11 пФ). Подходит для коммутации нагрузок в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| T f | 5ns |
| T r | 8ns |
| Ciss | 11pF |
| Coss | 7pF |
| Crss | 1.4pF |
| G fs | 0.135S |
| Idss | -1µA |
| IGSS | -100nA |
| Q gd | 0.04nC |
| Q gs | 0.11nC |
| Тип | P-Channel MOSFET |
| V sd | -1 to -1.5V |
| Bvdss | -25V |
| T don | 5ns |
| T stg | -55 to 150°C |
| Is max | -0.2A |
| Pd макс. | 0.35W |
| T doff | 9ns |
| ЭСР HBM | 6kV |
| Маркировка | 302 |
| Корпус | SOT-23 |
| Макс. Vds | -25V |
| Макс. Vgs | -8V |
| Тип монтажа | SMD |
| Ток стока импульсный | -0.5A |
| Q g total | 0.22nC |
| R theta ja | 357°C/W |
| Vgs порог макс. | -1.5V |
| Vgs порог мин. | -0.65V |
| Vgs(th) тип. | -1V |
| Артикул | FDV302P |
| Id непрерывный | -0.12A |
| T j operating | -55 to 150°C |
| Rds on vgs 2 7v | 13Ω |
| Rds on vgs 4 5v | 10Ω |
| Gate source zener | Да |
| Тип транзистора | P-Channel MOSFET |
Заметили ошибку в описании или параметрах?