Документация
Транзистор полевой FDV301N
У поставщика
У поставщиков
91 890 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:91 890 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4,42 |
| от 900 | 3,63 |
| от 1 500 | 3,19 |
| от 2 475 | 2,84 |
| от 4 150 | 2,60 |
Описание
Транзистор полевой FDV301N производства YOUTAI представляет собой N-канальный MOSFET, предназначенный для коммутации и управления нагрузкой. Компонент отличается низким пороговым напряжением, что позволяет управлять им напрямую от логических уровней микроконтроллеров. Применяется в цепях маломощных ключей, преобразователей и портативной электроники, где важна компактность и эффективность.
Технические характеристики
| Корпус | SOT-23 |
| Макс. Vds | 20V |
| Макс. Vgs | ±12V |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 8ns typ, 16ns max @ Vgs=4.5V; 6ns typ, 12ns max @ Vgs=5V |
| Ток стока импульсный | 20A |
| Время нарастания | 17ns typ, 26ns max @ Vgs=4.5V; 13ns typ, 20ns max @ Vgs=5V |
| Vgs порог макс. | 1.0V |
| Vgs порог мин. | 0.45V |
| Gate charge qg | 12nC typ, 18nC max @ Vgs=5V, Id=5A; 8.8nC typ, 14nC max @ Vgs=4.5V |
| Rds on vgs1 8v | 50mΩ @ Vgs=1.8V, Id=4.3A |
| Rds on vgs2 5v | 42mΩ @ Vgs=2.5V, Id=4.7A |
| Rds on vgs4 5v | 28mΩ @ Vgs=4.5V, Id=5A |
| Gate resistance | 0.5Ω min, 2.4Ω typ, 4.8Ω max |
| Id continuous ta25 | 5A |
| Id continuous ta70 | 4A |
| Id continuous tc25 | 6A |
| Id continuous tc70 | 5.1A |
| Размеры упаковки | 2.8-3.0mm x 1.2-1.4mm x 0.9-1.15mm |
| Время задержки включения | 8ns typ, 16ns max @ Vgs=4.5V; 5ns typ, 10ns max @ Vgs=5V |
| Gate source leakage | ±100nA @ Vgs=±8V |
| Время задержки выключения | 31ns typ, 47ns max @ Vgs=4.5V; 21ns typ, 32ns max @ Vgs=5V |
| Capacitance input ciss | 865pF |
| On state drain current | 20A @ Vds≤5V, Vgs=4.5V |
| Power dissipation ta25 | 1.25W |
| Power dissipation ta70 | 0.8W |
| Power dissipation tc25 | 2.1W |
| Power dissipation tc70 | 1.3W |
| Capacitance output coss | 105pF |
| Body diode pulse current | 20A |
| Capacitance reverse crss | 55pF |
| Прямая крутизна | 24S @ Vds=10V, Id=5A |
| Reverse recovery time trr | 12ns typ, 20ns max |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Body diode forward voltage | 0.75V typ, 1.2V max @ Is=4A |
| Пиковая температура пайки | 260°C |
| Reverse recovery charge qrr | 5nC typ, 10nC max |
| Body diode continuous current | 1.75A @ Tc=25°C |
| Zero gate voltage drain current | 1µA @ Vds=20V, 10µA @ Tj=70°C |
| Thermal resistance junction to foot | 40°C/W typ, 60°C/W max |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to 150°C |
| Thermal resistance junction to ambient 5s | 80°C/W typ, 100°C/W max |
| Thermal resistance junction to ambient steady | 125°C/W max |
Заметили ошибку в описании или параметрах?