Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 220мА, 0.35Вт
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
26 371 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:26 371 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 114 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 6,12 |
| от 294 | 5,24 |
| от 588 | 4,52 |
| от 1 175 | 3,96 |
| от 3 000 | 3,59 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от ON Semiconductor. Работает при напряжении до 25 В и токе до 220 мА, мощность рассеивания — 0,35 Вт. Выполнен в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации нагрузок в портативных устройствах и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Маркировка | 301 |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Описание | Digital FET, N-Channel logic level enhancement mode field effect transistor |
| Артикул | FDV301N |
| Рейтинг ЭСР HBM | 6.0kV |
| Rds on vgs 2 7v | 5Ω |
| Rds on vgs 4 5v | 4Ω |
| Заряд сток-затвор | 0.07nC |
| Вх. емкость | 9.5pF |
| Рассеиваемая мощность | 0.35W |
| Полный заряд затвора | 0.7nC |
| Время нарастания | 15ns |
| Заряд затвор-исток | 0.22nC |
| Выходная емкость | 6pF |
| Peak drain current | 0.5A |
| Время спада | 8ns |
| Время задержки включения | 8ns |
| Напряжение затвор-исток | 8V |
| Время задержки выключения | 8ns |
| Напряжение сток-исток | 25V |
| Напр. диода | 1.2V |
| Gate threshold voltage | 1.06V |
| On state drain current | 0.2A |
| Bv dss temp coefficient | 25mV/°C |
| Vgs th temp coefficient | -2.1mV/°C |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Continuous drain current | 0.22A |
| Прямая крутизна | 0.2S |
| Gate body leakage current | 100nA |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 1.06V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 0.70V |
| Тип. пороговое Uзи | 0.85V |
| Диап. раб. темп. | -55°C to 150°C |
| Обратная проходная емкость | 1.3pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23 |
| Напряжение пробоя сток-исток | 25V |
| Zero gate voltage drain current | 1µA |
| Zero gate voltage drain current 55c | 10µA |
| Max continuous diode forward current | 0.29A |
| Термосопротивление переход-среда | 357°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?