Документация
Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 3.8 А, 2 Вт
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 743 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 743 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 20 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 37,92 |
| от 19 | 36,83 |
| от 37 | 35,33 |
| от 74 | 33,13 |
| от 148 | 30,64 |
Описание
Сборка из двух P-канальных полевых транзисторов от ON Semiconductor. Компонент рассчитан на напряжение до 20 В, ток до 3,8 А и мощность 2 Вт, выпускается в компактном корпусе SO-8. Подходит для управления нагрузкой и коммутации в компактных блоках питания и портативной электронике.
Технические характеристики
| Дата | November 1998 |
| Корпус | SO-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Кол-во выводов | 8 |
| Размер катушки | 13 inch |
| Ширина ленты | 12mm |
| Описание | Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| Артикул | FDS9933A |
| Channel type | P-Channel |
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Channel count | 2 |
| Device marking | FDS9933A |
| Rds on vgs 2 5v | 0.105 Ohm |
| Rds on vgs 4 5v | 0.075 Ohm |
| Напряжение пробоя | -20V |
| Заряд сток-затвор | 2 nC |
| Вх. емкость | 600 pF |
| Кол-во на катушке | 2500 units |
| Полный заряд затвора | 10 nC |
| Время нарастания | 18 ns |
| Заряд затвор-исток | 1.3 nC |
| Выходная емкость | 175 pF |
| Время спада | 42 ns |
| Время задержки включения | 12 ns |
| Напряжение затвор-исток | -8V |
| Rds on vgs 2 5v typ | 0.084 Ohm |
| Rds on vgs 4 5v typ | 0.058 Ohm |
| Темп. хранения | -55 to +150 °C |
| Время задержки выключения | 50 ns |
| Drain current pulsed | -20A |
| Напряжение сток-исток | -20V |
| Rds on vgs 4 5v 125c | 0.12 Ohm |
| Напр. диода | -1.2V |
| Тип. заряд затвора | 7 nC |
| Turn on rise time typ | 9 ns |
| On state drain current | -10A |
| Power dissipation dual | 2.0W |
| Turn off fall time typ | 28 ns |
| Время задержки вкл. тип. | 6 ns |
| Время задержки выкл. тип. | 31 ns |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Drain current continuous | -3.8A |
| Прямая крутизна | 10 S |
| Rds on vgs 4 5v 125c typ | 0.086 Ohm |
| Тип. прямое напряжение диода | -0.75V |
| Gate body leakage forward | 100 nA |
| Gate body leakage reverse | -100 nA |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -1.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -0.4V |
| Тип. пороговое Uзи | -0.8V |
| Обратная проходная емкость | 80 pF |
| Описание (англ.) | field-effect transistor assembly, 2xP-channel, 20V 3.8A 2W |
| Рабочая температура перехода | -55 to +150 °C |
| Gate threshold temp coefficient | 2.5 mV/°C |
| Power dissipation single note1a | 1.6W |
| Power dissipation single note1b | 1.0W |
| Power dissipation single note1c | 0.9W |
| Zero gate voltage drain current | -1 µA |
| Diode forward current continuous | -1.3A |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 40 °C/W |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | -16 mV/°C |
| Thermal resistance junction ambient note1a | 78 °C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?