Документация
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 6.5 А, 2Вт, 0.03 Ом
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 001 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 001 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 14 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 55,23 |
| от 38 | 50,85 |
| от 75 | 47,25 |
| от 149 | 44,56 |
| от 297 | 42,55 |
Описание
Сборка из двух N-канальных полевых транзисторов от ON Semiconductor. Компонент рассчитан на напряжение до 20 В, ток до 6,5 А и имеет низкое сопротивление открытого канала 0,03 Ом при мощности 2 Вт. Выполнена в компактном корпусе SO-8. Подходит для цепей управления питанием и коммутации в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | SO-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Размер катушки | 13" |
| Ширина ленты | 12mm |
| Описание | Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| Артикул | FDS9926A |
| Channel type | N-Channel |
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Channel count | 2 |
| Дата даташита | July 2003 |
| Device marking | FDS9926A |
| Gate resistance | 1.4Ω |
| Gate body leakage | ±100nA |
| Заряд сток-затвор | 1.7nC |
| Вх. емкость | 650pF |
| Кол-во на катушке | 2500 units |
| Datasheet revision | Rev E (W) |
| Заряд затвор-исток | 1.2nC |
| Выходная емкость | 150pF |
| Напряжение затвор-исток | ±10V |
| Rds on vgs 2 5v max | 43mΩ |
| Rds on vgs 2 5v typ | 35mΩ |
| Rds on vgs 4 5v max | 30mΩ |
| Rds on vgs 4 5v typ | 25mΩ |
| Темп. хранения | -55 to +150°C |
| Drain current pulsed | 20A |
| Напряжение сток-исток | 20V |
| Заряд затвора макс. | 9nC |
| Тип. заряд затвора | 6.2nC |
| Turn on rise time max | 17ns |
| Turn on rise time typ | 9ns |
| On state drain current | 15A |
| Power dissipation dual | 2W |
| Turn off fall time max | 9ns |
| Turn off fall time typ | 4ns |
| Время вкл. макс. | 16ns |
| Время задержки вкл. тип. | 8ns |
| Макс. время выключения | 26ns |
| Время задержки выкл. тип. | 15ns |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Drain current continuous | 6.5A |
| Прямая крутизна | 22S |
| Rds on vgs 4 5v 125c max | 50mΩ |
| Rds on vgs 4 5v 125c typ | 35mΩ |
| Напр. диода макс. | 1.3V |
| Тип. прямое напряжение диода | 0.73V |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 1.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 0.6V |
| Тип. пороговое Uзи | 1V |
| Diode reverse recovery time | 15ns |
| Обратная проходная емкость | 85pF |
| Описание (англ.) | field-effect transistor assembly, 2xN-channel, 20V 6.5A 0.03 Ohm |
| Diode reverse recovery charge | 5nC |
| Напряжение пробоя сток-исток | 20V |
| Рабочая температура перехода | -55 to +150°C |
| Gate threshold temp coefficient | -3mV/°C |
| Power dissipation single note1a | 1.6W |
| Power dissipation single note1b | 1W |
| Power dissipation single note1c | 0.9W |
| Zero gate voltage drain current | 1µA |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 14mV/°C |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 40°C/W |
| Рабочая температура | -50...+150C |
| Thermal resistance junction to ambient note1a | 78°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?