Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.3А 2.5Вт
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
2 500 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 500 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 16 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 43,14 |
| от 51 | 39,46 |
| от 102 | 36,43 |
| от 203 | 34,16 |
| от 406 | 32,45 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный от ON Semiconductor. Работает при напряжении до 30 В, токе до 5,3 А и рассеивает мощность 2,5 Вт. Выполнен в компактном корпусе SO-8. Подходит для схем управления питанием и коммутации нагрузки в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | P-Channel MOSFET |
| Корпус | SO-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Количество | 2500 units |
| Размер катушки | 13'' |
| Ширина ленты | 12mm |
| Описание | 30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| Артикул | FDS9435A |
| Заряд сток-затвор | 2nC |
| Вх. емкость | 528pF |
| Рассеиваемая мощность | 2.5W |
| Полный заряд затвора | 10nC typ, 14nC max |
| Время нарастания | 13ns typ, 24ns max |
| Заряд затвор-исток | 2.2nC |
| Выходная емкость | 132pF |
| Время спада | 9ns typ, 17ns max |
| Время задержки включения | 7ns typ, 14ns max |
| Время задержки выключения | 14ns typ, 25ns max |
| Voltage gate source | ±25V |
| Drain current pulsed | -50A |
| Voltage drain source | -30V |
| Напр. диода | -0.8V typ, -1.2V max |
| On state drain current | -25A |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Drain current continuous | -5.3A |
| Прямая крутизна | 10S |
| Diode forward current max | -2.1A |
| Gate body leakage forward | 100nA |
| Gate body leakage reverse | -100nA |
| Power dissipation note 1b | 1.2W |
| Power dissipation note 1c | 1W |
| Диап. темп. хр. | -55 to 175°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -3V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -1V |
| Тип. пороговое Uзи | -1.7V |
| Диап. раб. темп. | -55 to 175°C |
| Обратная проходная емкость | 70pF |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, P-channel, 30 V, 5.3 A, 2.5 W |
| Напряжение пробоя сток-исток | -30V |
| Zero gate voltage drain current | -1μA |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 25°C/W |
| Drain source on resistance vgs 10v | 42mΩ typ, 50mΩ max |
| Drain source on resistance vgs 4.5v | 65mΩ typ, 80mΩ max |
| Drain source on resistance vgs 10v 125c | 57mΩ typ, 77mΩ max |
| Breakdown voltage temperature coefficient | -23mV/°C |
| Thermal resistance junction ambient note 1a | 50°C/W |
| Thermal resistance junction ambient note 1c | 125°C/W |
| Gate threshold voltage temperature coefficient | 4.5mV/°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?