+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
FDS9431A
Документация

Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.5А 2.5Вт

Артикул:791900
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
2 157 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 157 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 10 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 181,73
от 4876,23
от 9671,86
от 19168,03
от 38165,45
Описание

Транзистор полевой MOSFET P-канальный от ON Semiconductor. Рабочее напряжение до 20 В, ток до 3.5 А, мощность рассеивания 2.5 Вт. Компонент выполнен в компактном корпусе SO-8. Подходит для коммутации нагрузок в портативной и бытовой электронике.

Технические характеристики
ТипP-Channel MOSFET
КорпусSO-8
Тип монтажаSMD
Время спада21ns
Время нарастания20ns
АртикулFDS9431A
Заряд сток-затвор1.3nC
Вх. емкость405pF
Заряд затвор-исток0.8nC
Выходная емкость170pF
Время задержки включения6.5ns
Время задержки выключения31ns
Drain current pulsed-18A
Макс. рассеиваемая мощность2.5W
Заряд затвора макс.8.5nC
Тип. заряд затвора6nC
Напряжение затвор-исток макс.±8V
Макс. темп. хр.150°C
Мин. темп. хр.-55°C
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Drain current continuous-3.5A
Макс. напряжение сток-исток-20V
Прямая крутизна6.5S
Напр. диода макс.-1.2V
Diode forward voltage min-0.7V
Макс. раб. темп.150°C
Мин. раб. темп.-55°C
Пороговое напряжение затвора макс.-1V
Пороговое напряжение затвора мин.-0.4V
Тип. пороговое Uзи-0.6V
On resistance vgs minus2 5v0.180Ω
On resistance vgs minus4 5v0.130Ω
Gate drive voltage specified2.5V
Обратная проходная емкость45pF
Описание (англ.)MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC
Continuous diode forward current-2.1A
On resistance vgs minus4 5v tj125c0.220Ω
Тепл. сопр. переход-корпус25°C/W
Термосопротивление переход-среда50°C/W

Заметили ошибку в описании или параметрах?