Документация
Транзистор полевой FDS8958A
У поставщика
У поставщиков
2 024 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:2 024 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 9,82 |
Описание
Транзистор полевой FDS8958A от TECH PUBLIC — это сдвоенный N/P-канальный MOSFET в корпусе SOP-8 для поверхностного монтажа. Работает с напряжением сток-исток до ±30 В, выдерживает импульсный ток до 28 А (N-канал) и 24 А (P-канал), сопротивление открытого канала — от 22 мОм. Применяется в схемах защиты аккумуляторов и в качестве нагрузочного ключа.
Технические характеристики
| Бренд | TECH PUBLIC |
| Корпус | SOP-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| N channel | Время спада: 7.1 ns; Время нарастания: 16 ns; Заряд сток-затвор: 2 nC; Вх. емкость: 429 pF; Полный заряд затвора: 4.8 nC; Заряд затвор-исток: 1.5 nC; Выходная емкость: 59 pF; Время задержки включения: 6.8 ns; Напряжение затвор-исток: ±20V; Время задержки выключения: 27 ns; Напряжение сток-исток: 30V; Импульсный ток стока: 28A; Diode forward current: 7A; Напр. диода: 0.74V; Мощн. рас. 25°C: 1.7W; Power dissipation 70c: 1.1W; Пороговое напряжение затвора макс.: 2.5V; Пороговое напряжение затвора мин.: 1V; Тип. пороговое Uзи: 1.67V; Длительный ток стока 25°C: 7A; Continuous drain current 70c: 5.6A; Обратная проходная емкость: 47 pF; Напряжение пробоя сток-исток: 30V; Drain source on resistance 10v: 22 mΩ; Drain source on resistance 4 5v: 28 mΩ |
| P channel | Время спада: 50 ns; Время нарастания: 23 ns; Заряд сток-затвор: 2.8 nC; Вх. емкость: 846 pF; Полный заряд затвора: 7.8 nC; Заряд затвор-исток: 2.7 nC; Выходная емкость: 120 pF; Время задержки включения: 3.6 ns; Напряжение затвор-исток: ±20V; Время задержки выключения: 90 ns; Напряжение сток-исток: -30V; Импульсный ток стока: -24A; Diode forward current: -6A; Напр. диода: -0.75V; Мощн. рас. 25°C: 1.7W; Power dissipation 70c: 1.1W; Пороговое напряжение затвора макс.: -2.5V; Пороговое напряжение затвора мин.: -1.53V; Длительный ток стока 25°C: -6A; Continuous drain current 70c: -5A; Обратная проходная емкость: 76 pF; Напряжение пробоя сток-исток: -30V; Drain source on resistance 10v: 30 mΩ; Drain source on resistance 4 5v: 45 mΩ |
| Кол-во выводов | 8 |
| Размеры | Шаг: 1.27 mm; Макс. высота: 1.75 mm; Height min: 1.35 mm; Макс. ширина корпуса: 4.0 mm; Body width min: 3.8 mm; Макс. длина корпуса: 5.1 mm; Мин. длина корпуса: 4.7 mm |
| Описание | N/P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| Артикул | FDS8958A |
| Применение | Battery protection, Load switch |
| Темп. диапазон | -55°C to 150°C |
| Термосопротивление переход-среда | 73.5 °C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?