Документация
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 6 А, 1.6Вт
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
463 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:463 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 12 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 61,27 |
| от 36 | 56,45 |
| от 72 | 52,51 |
| от 143 | 49,54 |
| от 285 | 47,33 |
Описание
Сборка из двух N-канальных полевых транзисторов от ON Semiconductor. Компонент рассчитан на напряжение 30 В и ток до 6 А при мощности 1,6 Вт, выпускается в компактном корпусе SOIC8N. Подходит для схем управления питанием и коммутации в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| R g | 2.1Ω |
| T f | 3ns |
| T r | 5ns |
| G fs | 25S |
| Q gd | 2.1nC |
| Q gs | 1.7nC |
| C iss | 575pF |
| C oss | 145pF |
| C rss | 65pF |
| V dss | 30V |
| T d on | 8ns |
| P d max | 1.6W |
| Корпус | SO-8 |
| T d off | 23ns |
| Тип монтажа | SMD |
| Размер катушки | 13" |
| V gss max | ±20V |
| I d pulsed | 20A |
| Q rr diode | 10nC |
| T rr diode | 20ns |
| Ширина ленты | 12mm |
| Тип устройства | Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| V gs th max | 3V |
| V gs th min | 1V |
| V gs th typ | 1.9V |
| Конфигурация | Dual N-Channel |
| Q g total max | 8.1nC |
| Q g total typ | 5.8nC |
| I d continuous | 6A |
| R ds on vgs 10v | 28mΩ |
| Bvdss temp coeff | 25mV/°C |
| R ds on vgs 4 5v | 35mΩ |
| Кол-во на катушке | 2500 |
| V gs th temp coeff | -4.5mV/°C |
| I s diode continuous | 1.3A |
| Тепловое сопротивление JA | 78°C/W |
| Тепловое сопротивление JC | 40°C/W |
| V sd diode forward max | 1.2V |
| V sd diode forward typ | 0.75V |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Power dissipation note 1b | 1.0W |
| Power dissipation note 1c | 0.9W |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to +150°C |
| Описание (англ.) | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC |
Заметили ошибку в описании или параметрах?