Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
2 304 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 304 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 20 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 37,09 |
| от 20 | 36,00 |
| от 39 | 34,48 |
| от 78 | 32,29 |
| от 156 | 29,83 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от ON Semiconductor. Работает при напряжении до 30 В и токе до 11 А в компактном корпусе SO-8. Подходит для цепей питания, DC/DC-преобразователей и коммутации нагрузки в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Маркировка | FDS6690A |
| Корпус | SO-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Количество | 2500 units |
| Размер катушки | 13" |
| Ширина ленты | 12mm |
| Технология | PowerTrench |
| Описание | Single N-Channel, Logic-Level, PowerTrench MOSFET |
| Logic level | Да |
| Артикул | FDS6690A |
| Channel type | N-Channel |
| Gate resistance | 2.4Ω |
| Gate body leakage | -100nA |
| Заряд сток-затвор | 4.0nC |
| Вх. емкость | 1205pF |
| Полный заряд затвора | 12nC (typ), 16nC (max) |
| Время нарастания | 5ns (typ), 10ns (max) |
| Заряд затвор-исток | 3.4nC |
| Выходная емкость | 290pF |
| Время спада | 9ns (typ), 19ns (max) |
| Время задержки включения | 9ns (typ), 19ns (max) |
| Напряжение затвор-исток | -20V |
| Время задержки выключения | 28ns (typ), 44ns (max) |
| Drain current pulsed | 50A |
| Напряжение сток-исток | 30V |
| On state drain current | 50A |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Drain current continuous | 11A |
| Прямая крутизна | 48S |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 3V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1V |
| Тип. пороговое Uзи | 1.9V |
| Diode reverse recovery time | 24ns |
| Обратная проходная емкость | 115pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R |
| Diode reverse recovery charge | 27nC |
| Энергия одиноч. импульса | 96mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 30V |
| Zero gate voltage drain current | 1mA |
| Drain source diode forward voltage | 0.74V (typ), 1.2V (max) |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 25°C/W |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Zero gate voltage drain current at 55c | 10mA |
| Breakdown voltage temperature coefficient | 25mV/°C |
| Power dissipation single operation note1a | 2.5W |
| Power dissipation single operation note1b | 1.0W |
| Thermal resistance junction to ambient note1a | 50°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient note1b | 125°C/W |
| Gate threshold voltage temperature coefficient | -5mV/°C |
| Static drain source on resistance vgs 10v id 11a | 9.8mΩ (typ), 12.5mΩ (max) |
| Static drain source on resistance vgs 4.5v id 10a | 12.0mΩ (typ), 17.0mΩ (max) |
| Maximum continuous drain source diode forward current | 2.1A |
| Static drain source on resistance vgs 10v id 11a tj 125c | 13.7mΩ (typ), 22.0mΩ (max) |
Заметили ошибку в описании или параметрах?