Документация
Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 7 А, 2 Вт
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
269 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:269 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 102,43 |
| от 23 | 95,08 |
| от 46 | 89,08 |
| от 92 | 84,59 |
| от 183 | 81,26 |
Описание
Сборка из двух P-канальных полевых транзисторов от ON Semiconductor. Компонент рассчитан на напряжение 30 В, ток до 7 А и мощность 2 Вт, выпускается в компактном корпусе SO-8. Подходит для схем управления питанием и коммутации нагрузок в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | SO-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | FDS4935A |
| Упаковка | Tape and Reel, 13" reel, 12mm tape, 2500 units |
| Кол-во выводов | 8 |
| Технология | PowerTrench |
| Описание | Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Конфигурация | Dual P-Channel |
| Заряд сток-затвор | 4.5nC |
| Вх. емкость | 1233pF |
| Полный заряд затвора | 15nC typ, 21nC max |
| Время нарастания | 10ns typ, 20ns max |
| Заряд затвор-исток | 4.4nC |
| Выходная емкость | 311pF |
| Время спада | 25ns typ, 40ns max |
| Время задержки включения | 13ns typ, 23ns max |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 48ns typ, 77ns max |
| Drain current pulsed | -30A |
| Напряжение сток-исток | -30V |
| Rds on vgs 10v id 7a | 23mΩ max (19mΩ typ) |
| Gate threshold voltage | -1V min, -1.6V typ, -3V max |
| On state drain current | -30A |
| Power dissipation dual | 2W |
| Rds on vgs 4 5v id 5 5a | 35mΩ max (28mΩ typ) |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Drain current continuous | -7A |
| Прямая крутизна | 19S |
| Gate body leakage forward | -100nA |
| Gate body leakage reverse | 100nA |
| Switching test conditions | VDD=-15V, ID=-1A, VGS=-10V, RGEN=6Ω |
| Body diode forward voltage | -0.75V typ, -1.2V max |
| Body diode test conditions | VGS=0V, IS=-2.1A |
| Capacitance test frequency | 1MHz |
| Условия теста емкости | VDS=-15V, VGS=0V |
| Gate charge test conditions | VDS=-15V, ID=-7A, VGS=-5V |
| Rds on vgs 10v id 7a tj 125c | 34mΩ max (26mΩ typ) |
| Обратная проходная емкость | 152pF |
| Описание (англ.) | field-effect transistor assembly, 2xP-channel, 30V 7A 2W |
| Body diode continuous current | -2.1A |
| Напряжение пробоя сток-исток | -30V |
| Zero gate voltage drain current | -10µA |
| Power dissipation single note 1a | 1.6W |
| Power dissipation single note 1b | 1W |
| Power dissipation single note 1c | 0.9W |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 40°C/W |
| Gate threshold temperature coefficient | 4.4mV/°C |
| Диапазон раб. и темп. хранения | -55 to +175°C |
| Breakdown voltage temperature coefficient | -24mV/°C |
| Thermal resistance junction ambient note 1a | 78°C/W |
| Thermal resistance junction ambient note 1c | 135°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?