Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 85А 80Вт
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
31 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:31 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 81,88 |
| от 10 | 77,14 |
| от 20 | 72,68 |
| от 40 | 69,39 |
| от 80 | 66,37 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от ON Semiconductor. Работает при напряжении до 30 В, токе до 85 А и мощности 80 Вт. Выполнен в корпусе DPAK/TO-252AA. Подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Корпус | TO-252AA (D-PAK), TO-251AA (I-PAK) |
| Тип монтажа | SMD |
| Количество | 2500 units |
| Время спада | 41ns |
| Размер катушки | 13" |
| Время нарастания | 106ns |
| Ширина ленты | 16mm |
| Описание | N-Channel PowerTrench MOSFET |
| Артикул | FDD8896 |
| Время включения | 171ns |
| Tube quantity | 75 units |
| Время выключения | 143ns |
| Gate resistance | 2.1Ω |
| Вх. емкость | 2525pF |
| Рассеиваемая мощность | 80W |
| Выходная емкость | 490pF |
| Время задержки включения | 9ns |
| Темп. хранения | -55 to 175°C |
| Время задержки выключения | 53ns |
| Импульсный ток стока | Figure 4 |
| Alternate part number | FDU8896 |
| Время обратного восстановления | 27ns |
| Threshold gate charge | 2.3nC |
| Gate to source voltage | ±20V |
| Total gate charge vgs5 | 24nC |
| Drain to source voltage | 30V |
| Total gate charge vgs10 | 46nC |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Power derating above 25c | 0.53W/°C |
| Reverse recovered charge | 12nC |
| Gate to source gate charge | 6.9nC |
| Gate to drain miller charge | 9.8nC |
| Обратная проходная емкость | 300pF |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, N-channel, 30V 85A 80W |
| Энергия одиноч. импульса | 168mJ |
| Gate to source leakage current | ±100nA |
| Рабочая температура перехода | -55 to 175°C |
| Zero gate voltage drain current | 1µA |
| Gate charge threshold to plateau | 4.6nC |
| Gate to source threshold voltage | 1.2V to 2.5V |
| Drain to source breakdown voltage | 30V |
| Source to drain diode voltage id15 | 1.0V |
| Source to drain diode voltage id35 | 1.25V |
| Continuous drain current tc25 vgs10 | 94A |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 1.88°C/W |
| Continuous drain current tc25 vgs4 5 | 85A |
| Continuous drain current tamb25 vgs10 | 17A |
| Zero gate voltage drain current tc150 | 250µA |
| Термосопротивление переход-среда | 100°C/W |
| Drain to source on resistance vgs10 id35 | 5.7mΩ |
| Drain to source on resistance vgs4 5 id35 | 6.8mΩ |
| Drain to source on resistance vgs10 id35 tj175 | 9.2mΩ |
| Thermal resistance junction to ambient 1in2 copper | 52°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?