Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 11A
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
335 шт.
Норм. уп.: 2500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:335 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 94,08 |
| от 25 | 87,25 |
| от 49 | 81,67 |
| от 97 | 77,51 |
| от 194 | 74,41 |
Описание
Полевой P-канальный MOSFET-транзистор от ON Semiconductor рассчитан на напряжение 30 В и ток до 11 А. Выполнен в компактном корпусе DPAK (TO-252AA) для поверхностного монтажа. Подходит для цепей управления питанием и коммутации нагрузки в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | TO-252 (DPAK) |
| Aec q101 | Qualified |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | P-Channel |
| Компонент | FDD6685 |
| Время спада | 21ns typ / 34ns max |
| Размер катушки | 13" |
| Время нарастания | 11ns typ / 21ns max |
| Ширина ленты | 16mm |
| Технология | PowerTrench |
| Описание | 30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| Device marking | FDD6685 |
| Rds on vgs 10v | 14mΩ typ / 20mΩ max |
| Gate resistance | 3.6Ω |
| Rds on vgs 4 5v | 21mΩ typ / 30mΩ max |
| Gate body leakage | ±100nA |
| Заряд сток-затвор | 4nC |
| Вх. емкость | 1715pF |
| Ordering quantity | 2500 units |
| Полный заряд затвора | 17nC typ / 24nC max |
| Заряд затвор-исток | 9nC |
| Выходная емкость | 440pF |
| Время задержки включения | 17ns typ / 31ns max |
| Напряжение затвор-исток | ±25V |
| Время задержки выключения | 43ns typ / 68ns max |
| Напряжение сток-исток | -30V |
| Импульсный ток стока | -100A |
| Напр. диода | -0.8V typ / -1.2V max |
| Gate threshold voltage | -1V min / -1.8V typ / -3V max |
| On state drain current | -20A |
| Power dissipation case | 52W |
| Rds on vgs 10v tj 125c | 20mΩ |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 26S |
| Maximum avalanche current | -11A |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +175°C |
| Diode reverse recovery time | 26ns |
| Обратная проходная емкость | 225pF |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 30V 11A DPAK |
| Diode reverse recovery charge | 13nC |
| Энергия одиноч. импульса | 42mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | -30V |
| Zero gate voltage drain current | -1μA |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 2.9°C/W |
| Continuous drain current case 25c | -40A |
| Power dissipation ambient min pad | 1.6W |
| Power dissipation ambient 1in2 pad | 3.8W |
| Continuous drain current ambient 25c | -11A |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to +175°C |
| Breakdown voltage temperature coefficient | -24mV/°C |
| Thermal resistance junction ambient min pad | 96°C/W |
| Thermal resistance junction ambient 1in2 pad | 40°C/W |
| Gate threshold voltage temperature coefficient | 5mV/°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?