Документация
FDD6637-VB
У поставщика
ПроизводительVBSEMI
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
11 796 шт.
Норм. уп.: 200
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:11 466 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 17,35 |
Склад 12
В наличии:330 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 200
Минимальная партия: 2000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 39,33 |
| от 200 | 33,41 |
Описание
FDD6637-VB — P-канальный MOSFET-транзистор от VBSEMI в корпусе TO-252 (DPAK) для поверхностного монтажа. Компонент рассчитан на импульсный ток до -240 А и имеет низкое сопротивление открытого канала всего 9 мОм при напряжении затвора 10 В. Рассеиваемая мощность достигает 87 Вт, а лавинная энергия — 180 мДж. Подходит для схем управления питанием, защиты от обратной полярности и силовых ключей в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | P-Channel MOSFET |
| Корпус | DPAK |
| Тип монтажа | SMD |
| Ширина корпуса | 6.35mm to 6.73mm |
| Высота корпуса | 2.18mm to 2.38mm |
| Длина корпуса | 5.97mm to 6.22mm |
| Артикул | FDD6637-VB |
| Соотв. RoHS | Да |
| Avalanche energy | 180mJ (L=0.1mH) |
| Лавинный ток | -60A |
| Вх. емкость | 4000pF |
| Выходная емкость | 1565pF |
| Структура | P-канал |
| On resistance vgs10 | 0.009Ω |
| On resistance vgs4 5 | 0.011Ω |
| Импульсный ток стока | -240A |
| Заряд затвора макс. | 240nC |
| Тип. заряд затвора | 160nC |
| Power dissipation ta25 | 78W |
| Power dissipation tc25 | 87W |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Макс. напряжение сток-исток | -30V |
| Макс. время обрат. восстановления | 100ns |
| Тип. время восст. | 55ns |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 175°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -3V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -1V |
| Обратная проходная емкость | 715pF |
| Continuous drain current tc25 | -70A |
| Continuous drain current tc125 | -58A |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 1.0°C/W |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to 175°C |
| Source drain diode forward voltage max | -1.5V |
| Source drain diode forward voltage typ | -1.2V |
| Thermal resistance junction to ambient pcb | 60°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient free air | 68.5°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?