Документация
FDD6637, транзистор полевой TO252
У поставщика
ПроизводительONS
У поставщиков
4 360 шт.
Норм. уп.: 25
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:4 360 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 25
Минимальная партия: 650 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 69,35 |
| от 25 | 46,58 |
| от 250 | 43,29 |
Описание
Транзистор полевой P-Channel от ON Semiconductor в корпусе D-PAK (TO-252) для поверхностного монтажа. Технология PowerTrench обеспечивает низкое сопротивление и быстрые переключения (время нарастания от 10 нс). Выдерживает импульсный ток до -100 А и рассеивает до 57 Вт. Подходит для цепей управления питанием, защиты от обратной полярности и силовой электроники.
Технические характеристики
| Полярность | P-Channel |
| Технология | PowerTrench |
| Тип корпуса | D-PAK (TO-252) |
| Макс. время спада | 58ns |
| Тип. время спада | 36ns |
| Тип монтажа | SMD |
| Макс. время нарастания | 20ns |
| Тип. время нарастания | 10ns |
| Device marking | FDD6637 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Gate resistance | 3.6Ω |
| Avalanche energy | 61mJ |
| Описание | MOSFETs 35V PCH PowerTrench MOSFET |
| Лавинный ток | -14A |
| Заряд сток-затвор | 10nC |
| Вх. емкость | 2370pF |
| Заряд затвор-исток | 7nC |
| Выходная емкость | 470pF |
| Pulse drain current | -100A |
| Информация для заказа | Количество: 2500 units; Размер катушки: 13"; Ширина ленты: 12mm |
| Power dissipation case | 57W |
| Время вкл. макс. | 32ns |
| Время задержки вкл. тип. | 18ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±25V |
| Макс. время выключения | 100ns |
| Время задержки выкл. тип. | 62ns |
| Макс. напряжение сток-исток | -35V |
| Прямая крутизна | 35S |
| Напр. диода макс. | -1.2V |
| Тип. прямое напряжение диода | -0.8V |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -3V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -1V |
| Тип. пороговое Uзи | -1.6V |
| Diode reverse recovery time | 28ns |
| Диап. раб. темп. | -55°C to +150°C |
| Total gate charge vgs5v max | 35nC |
| Total gate charge vgs5v typ | 25nC |
| Power dissipation ambient 1a | 3.1W |
| Power dissipation ambient 1b | 1.3W |
| Обратная проходная емкость | 250pF |
| Total gate charge vgs10v max | 63nC |
| Total gate charge vgs10v typ | 45nC |
| Continuous drain current case | -55A |
| Diode reverse recovery charge | 15nC |
| Drain source on resistance vgs10v | 11.6mΩ |
| Drain source avalanche voltage max | -40V |
| Drain source on resistance vgs4 5v | 18mΩ |
| Continuous drain current ambient 1a | -13A |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 2.2°C/W |
| Drain source on resistance vgs10v typ | 9.7mΩ |
| Drain source on resistance vgs4 5v typ | 14.4mΩ |
| Thermal resistance junction to ambient 1a | 40°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient 1b | 96°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?