Документация
ТРАНЗИСТОРЫ FDD6637, Полевой P-канальный транзистор ON Semiconductor, 35В, 55А, 3.1Вт, корпус DPAK (TO-252AA)
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
6 399 шт.
Норм. уп.: 20
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:3 399 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2500
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 80,14 |
| от 46 | 74,81 |
| от 91 | 70,56 |
| от 182 | 66,85 |
| от 364 | 64,34 |
Склад 15
В наличии:3 000 шт
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 20
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 20 | 62,09 |
Описание
Полевой P-канальный транзистор FDD6637 от ON Semiconductor предназначен для коммутации и управления нагрузкой в цепях с напряжением до 35 В. Модель рассчитана на ток до 55 А и мощность рассеивания 3,1 Вт, что делает её подходящей для силовых преобразователей и DC/DC-источников питания. Компонент выпускается в компактном корпусе DPAK (TO-252AA), обеспечивающем эффективный отвод тепла при поверхностном монтаже.
Технические характеристики
| Тип | MOSFET |
| Ток, А | 50 А |
| Корпус | D-PAK (TO-252) |
| Тип монтажа | SMD |
| Размер катушки | 13" |
| Ширина ленты | 12mm |
| Описание | 35V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| Артикул | FDD6637 |
| Производитель | Fairchild Semiconductor (now ON Semiconductor) |
| Gate resistance | 3.6Ω |
| Лавинный ток | -14A |
| Gate body leakage | ±100nA |
| Заряд сток-затвор | 10nC |
| Вх. емкость | 2370pF |
| Кол-во на катушке | 2500 |
| Время нарастания | 10ns |
| Заряд затвор-исток | 7nC |
| Выходная емкость | 470pF |
| Размеры упаковки | D-PAK (TO-252) standard |
| Время спада | 36ns |
| Время задержки включения | 18ns |
| Напряжение затвор-исток | ±25V |
| Время задержки выключения | 62ns |
| Напряжение сток-исток | -35V |
| Импульсный ток стока | -100A |
| Gate threshold voltage | -1V to -3V |
| Power dissipation tc25 | 57W |
| Total gate charge vgs5 | 25nC |
| Total gate charge vgs10 | 45nC |
| Прямая крутизна | 35S |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Body diode forward voltage | -0.8V to -1.2V |
| Diode reverse recovery time | 28ns |
| Диап. раб. темп. | -55 to +150°C |
| Обратная проходная емкость | 250pF |
| Avalanche energy single pulse | 61mJ |
| Continuous drain current ta25 | -13A |
| Continuous drain current tc25 | -55A |
| Diode reverse recovery charge | 15nC |
| Power dissipation ta25 note1a | 3.1W |
| Power dissipation ta25 note1b | 1.3W |
| Drain source avalanche voltage | -40V |
| Напряжение пробоя сток-исток | -35V |
| Zero gate voltage drain current | -1μA |
| Drain source on resistance vgs10 | 11.6mΩ |
| Drain source on resistance vgs4 5 | 18mΩ |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 2.2°C/W |
| Drain source on resistance vgs10 tj125 | 19mΩ |
| Thermal resistance junction to ambient note1a | 40°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient note1b | 96°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?