Документация
Транзистор полевой FDC658AP
У поставщика
У поставщиков
569 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:569 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 16 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 47,91 |
| от 45 | 43,94 |
| от 90 | 40,68 |
| от 180 | 38,24 |
| от 359 | 36,40 |
Описание
Транзистор полевой FDC658AP от ON Semiconductor — P-канальный MOSFET, выполненный в компактном корпусе SuperSOT-6. Компонент оптимизирован для коммутации нагрузок и управления питанием в портативных устройствах. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала и малому пороговому напряжению, он подходит для схем с батарейным питанием, где важна миниатюризация и энергоэффективность.
Технические характеристики
| Корпус | SuperSOT-6 |
| Fet type | P-Channel MOSFET |
| Тип монтажа | SMD |
| Количество | 3000 units |
| Размер катушки | 7 inch |
| Ширина ленты | 8mm |
| Технология | PowerTrench |
| Описание | Single P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| Logic level | Да |
| Артикул | FDC658AP |
| Производитель | Fairchild Semiconductor (ON Semiconductor) |
| Соотв. RoHS | Да |
| Маркировка корпуса | .58A |
| Gate body leakage | ±100nA |
| Заряд сток-затвор | 2nC |
| Вх. емкость | 470pF typ, 680pF max |
| Полный заряд затвора | 6nC typ, 8.1nC max |
| Время нарастания | 12ns typ, 22ns max |
| Заряд затвор-исток | 2.1nC |
| Выходная емкость | 126pF typ, 180pF max |
| Время спада | 6ns typ, 12ns max |
| Время задержки включения | 7ns typ, 14ns max |
| Время задержки выключения | 16ns typ, 29ns max |
| Voltage gate source | ±25V |
| Drain current pulsed | -20A |
| Voltage drain source | -30V |
| On state drain current | -20A |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Drain current continuous | -4A |
| Прямая крутизна | 8.4S |
| Power dissipation note1a | 1.6W |
| Power dissipation note1b | 0.8W |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Capacitance test frequency | 1MHz |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -3V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -1V |
| Тип. пороговое Uзи | -1.8V |
| Gate charge test conditions | VDS=-15V, ID=-4A, VGS=-5V |
| Обратная проходная емкость | 61pF typ, 90pF max |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH SGL LL 30V 4A SSOT6 |
| Breakdown voltage drain source | -30V |
| Zero gate voltage drain current | -1µA |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 30°C/W |
| Drain source diode forward current | -1.3A |
| Drain source diode forward voltage | -0.77V typ, -1.2V max |
| Drain source on resistance vgs 10v | 44mΩ typ, 50mΩ max |
| Drain source on resistance vgs 4 5v | 67mΩ typ, 75mΩ max |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Drain source on resistance vgs 10v tj125 | 60mΩ typ, 70mΩ max |
| Breakdown voltage temperature coefficient | -22 mV/°C |
| Switching characteristics test conditions | VDD=-15V, ID=-1A, VGS=-10V, RGEN=6Ω |
| Thermal resistance junction ambient note1a | 78°C/W |
| Thermal resistance junction ambient note1b | 156°C/W |
| Gate threshold voltage temperature coefficient | 4 mV/°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?