Документация
FCH35N60, TO-247-3
У поставщика
ПроизводительONS
У поставщиков
5 шт.
Норм. уп.: 3
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:5 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3
Минимальная партия: 30 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 531,36 |
| от 3 | 531,36 |
Описание
Силовой MOSFET FCH35N60 от ON Semiconductor в корпусе TO-247-3. Работает при импульсном токе стока до 105 А и рассеивает до 312,5 Вт. Подходит для импульсных источников питания, преобразователей и промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Корпус | TO-247-3 |
| FET Type | N-Channel |
| Тип монтажа | THT |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Артикул | FCH35N60 |
| Корпус | TO-247-3 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Макс. время спада | 155ns |
| Тип. время спада | 73ns |
| Макс. время нарастания | 250ns |
| Тип. время нарастания | 120ns |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Описание | MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3 |
| Лавинный ток | 35A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Drain current pulsed | 105A |
| Transconductance typ | 28.8S |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип. заряд затвор-сток | 69nC |
| Входная емкость макс. | 6640pF |
| Тип. входная емкость | 4990pF |
| Макс. рассеиваемая мощность | 312.5W |
| Заряд затвора макс. | 181nC |
| Тип. заряд затвора | 139nC |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98mOhm @ 17.5A, 10V |
| Тип. заряд затвор-исток | 31nC |
| Макс. выходная емкость | 3170pF |
| Выходная емкость тип. | 2380pF |
| Время вкл. макс. | 78ns |
| Время задержки вкл. тип. | 34ns |
| Power Dissipation (Max) | 312.5W (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±30V |
| Макс. время выключения | 220ns |
| Время задержки выкл. тип. | 105ns |
| Макс. напряжение сток-исток | 600V |
| Derating factor above 25c | 2.5W/°C |
| Напр. диода макс. | 1.4V |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 20V/ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 5.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 3.0V |
| Температура пайки выводов | 300°C |
| Диап. раб. темп. | -55 to +150°C |
| Энергия лавины | 31.25mJ |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 181 nC @ 10 V |
| Drain current continuous 25c | 35A |
| Drain current continuous 100c | 22.2A |
| Энергия одиноч. импульса | 1455mJ |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Макс. Rси вкл. | 0.098Ω |
| Drain source on resistance typ | 0.079Ω |
| Output capacitance at 480v typ | 113pF |
| Diode reverse recovery time typ | 614ns |
| Drain source voltage at 150c typ | 650V |
| Effective output capacitance typ | 340pF |
| Обр. проходная емкость тип. | 140pF |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 0.4°C/W |
| Diode reverse recovery charge typ | 16.3μC |
| Drain source breakdown voltage typ | 700V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 42°C/W |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6640 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Breakdown voltage temperature coefficient | 0.6V/°C |
| Equivalent series resistance gate source typ | 1.4Ω |
Заметили ошибку в описании или параметрах?