Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 35A TO-247
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
71 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:71 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 571,80 |
| от 5 | 540,82 |
| от 9 | 515,59 |
| от 18 | 496,85 |
| от 30 | 482,90 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от ON Semiconductor. Рабочее напряжение 600 В, ток до 35 А, корпус TO-247-3. Подходит для импульсных блоков питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Корпус | TO-247 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Технология | SuperFET |
| Тип компонента | N-Channel MOSFET |
| Лавинный ток | 35A |
| Gate charge total max | 181nC |
| Gate charge total typ | 139nC |
| Входная емкость макс. | 6640pF |
| Тип. входная емкость | 4990pF |
| Время обратного восстановления | 614ns |
| Turn on rise time max | 250ns |
| Turn on rise time typ | 120ns |
| Output capacitance eff | 340pF |
| Макс. выходная емкость | 3170pF |
| Выходная емкость тип. | 2380pF |
| Turn off fall time max | 155ns |
| Turn off fall time typ | 73ns |
| Время вкл. макс. | 78ns |
| Время задержки вкл. тип. | 34ns |
| Gate charge source gate | 31nC |
| Заряд обратного восстановления | 16.3μC |
| Макс. время выключения | 220ns |
| Время задержки выкл. тип. | 105ns |
| Voltage gate source max | ±30V |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Current drain pulsed max | 105A |
| Gate leakage current max | ±100nA |
| Power derating above 25c | 2.5W/°C |
| Voltage drain source max | 600V |
| Напр. диода макс. | 1.4V |
| Макс. раб. темп. | 150°C |
| Мин. раб. темп. | -55°C |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 20V/ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Power dissipation max tc25 | 312.5W |
| Voltage gate threshold max | 5V |
| Voltage gate threshold min | 3V |
| Энергия лавины | 31.25mJ |
| Forward transconductance typ | 28.8S |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 600V 35A TO-247 |
| Gate charge gate drain miller | 69nC |
| Avalanche energy single pulsed | 1455mJ |
| Макс. Rси вкл. | 0.098Ω |
| Drain source on resistance typ | 0.079Ω |
| Обр. проходная емкость тип. | 140pF |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 0.4°C/W |
| Current drain continuous max tc25 | 35A |
| Current drain continuous max tc100 | 22.2A |
| Voltage drain source breakdown min | 600V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 42°C/W |
| Drain current limit by junction temp | Да |
| Drain source diode pulsed current max | 105A |
| Voltage drain source breakdown typ 150c | 650V |
| Zero gate voltage drain current 25c max | 1μA |
| Equivalent series resistance gate source | 1.4Ω |
| Zero gate voltage drain current 125c max | 10μA |
| Breakdown voltage temperature coefficient | 0.6V/°C |
| Drain source diode continuous current max | 35A |
| Drain source avalanche breakdown voltage typ | 700V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?