+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В

Транзисторы и сборки MOSFET FCH165N60E

Артикул:321078
У поставщика
ПроизводительONS-FAIR
У поставщиков
6 шт.
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:6 шт.
Срок поставки: до недели
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1836,64
Описание

МOSFET-транзистор N-канального типа от ON Semiconductor (Fairchild) в выводном корпусе TO-247-3 для монтажа в отверстия. Рассчитан на напряжение сток-исток 600 В и постоянный ток 23 А, сопротивление открытого канала — 165 мОм. Максимальная рассеиваемая мощность достигает 227 Вт, рабочая температура — от -55 до +150 °C. Подходит для импульсных источников питания, силовой электроники и схем с высоким напряжением.

Технические характеристики
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-247-3
ОписаниеMOSFET N-CH 600V 23A TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs165mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max)227W (Tc)
Supplier Device PackageTO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2434 pF @ 380 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C23A (Tc)
Напряжение, В600
ТипMOSFET
Ток, А165

Заметили ошибку в описании или параметрах?