Документация
Оптопара транзисторная 1 канал 5В. Изоляция 5кВ
У поставщика
ПроизводительEverlight
У поставщиков
121 шт.
Норм. уп.: 1500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:121 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1500
Минимальная партия: 242 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2,90 |
| от 118 | 2,55 |
| от 186 | 2,28 |
| от 372 | 2,08 |
| от 743 | 1,93 |
Описание
Оптопара транзисторная Everlight EL817S1(B)(TU)-F с одним каналом. Выдерживает напряжение изоляции до 5 кВ, работает при напряжении 5 В. Выпускается в компактном корпусе SMDIP-4 на ленте и катушке. Подходит для гальванической развязки цепей в блоках питания и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Контактов | 4 |
| Цоколевка | 1: Anode; 2: Cathode; 3: Emitter; 4: Collector |
| Серия | EL817 |
| Корпус | SMDIP-4 |
| Ctr rank | B |
| Тип монтажа | SMD |
| Форма вывода | S1 (low profile surface mount) |
| Соответствие | Pb free, RoHS compliant, UL approved (No. E214129), VDE approved (No. 132249), SEMKO approved, NEMKO approved, DEMKO approved, FIMKO approved, CSA approved |
| Lead frame | Iron |
| Vde safety | Нет |
| Описание | 4-pin DIP phototransistor photocoupler, 1 channel, 5kV isolation |
| Артикул | EL817S1(B)(TU)-F |
| Применение | Programmable controllers, System appliances, measuring instruments, Telecommunication equipments, Home appliances, such as fan heaters, etc., Signal transmission between circuits of different potentials and impedances |
| Количество в упаковке | 1500 units per reel |
| Tape reel option | TU |
| Путь утечки | 7.62mm |
| Напр. изоляции | 5000Vrms |
| Темп. хранения | -55 to 125°C |
| Раб. температура | -55 to 110°C |
| Температура пайки | 260°C |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Предельные значения | Forward current if: 60mA; Ток коллектора Ic: 50mA; Isolation voltage viso: 5000Vrms; Input reverse voltage vr: 6V; Peak forward current ifp: 1A; Storage temperature tstg: -55 to 125°C; Input power dissipation pd: 100mW; Operating temperature topr: -55 to 110°C; Soldering temperature tsol: 260°C; Output power dissipation pc: 150mW; Total power dissipation ptot: 200mW; Напряжение коллектор-эмиттер Vceo: 35V; Emitter collector voltage veco: 6V; Input power dissipation derating: 2.9mW/°C; Output power dissipation derating: 5.8mW/°C |
| Описание (англ.) | DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin PDIP SMD T/R |
| Electro optical characteristics | Input: Прямое напряжение: Max: 1.4V; Typ: 1.2V; Condition: IF=20mA; Reverse current ir: Max: 10µA; Condition: VR=4V; Input capacitance cin: Max: 250pF; Typ: 30pF; Condition: V=0, f=1kHz; Output: Collector emitter dark current iceo: Max: 100nA; Condition: VCE=20V, IF=0mA; Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Bvceo: Min: 35V; Condition: IC=0.1mA; Emitter collector breakdown voltage bveco: Min: 6V; Condition: IE=0.1mA; Transfer characteristics: Fall time tf: Max: 18µs; Typ: 3µs; Condition: VCE=2V, IC=2mA, RL=100Ω; Rise time tr: Max: 18µs; Typ: 4µs; Condition: VCE=2V, IC=2mA, RL=100Ω; Cut off frequency fc: Typ: 80kHz; Condition: VCE=5V, IC=2mA, RL=100Ω, -3dB; Floating capacitance cio: Max: 1.0pF; Typ: 0.6pF; Condition: VIO=0, f=1MHz; Isolation resistance rio: Min: 5×10^10Ω; Condition: VIO=500Vdc, R.H.=40~60%; Current transfer ratio ctr: Max: 260%; Min: 130%; Condition: IF=5mA, VCE=5V; Collector emitter saturation voltage vce sat: Max: 0.2V; Typ: 0.1V; Condition: IF=20mA, IC=1mA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?