
Документация
ДИОДЫ DSEI2X101-12A, Диодный модуль Littelfuse, 1200В, 91А, корпус SOT-227-4(miniBLOC)
У поставщика
ПроизводительLITTELFUSE
КатегорияДиодные модули
У поставщиков
91 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:82 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2 751,97 |
| от 2 | 2 645,02 |
| от 4 | 2 560,14 |
| от 7 | 2 485,48 |
| от 20 | 2 435,00 |
Склад 15
В наличии:9 шт
Срок поставки: до 10 дн.
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2 133,86 |
Описание
Диодный модуль Littelfuse серии DSEI2X101-12A в корпусе SOT-227-4 (miniBLOC). Предназначен для силовой электроники, рассчитан на напряжение 1200 В и ток 91 А. Обеспечивает высокую эффективность и надежность в выпрямительных цепях и преобразователях энергии.
Технические характеристики
| RoHS | Соответствует |
| Тип | Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
| Вес | 30g |
| Тип | диодный модуль |
| Ток, А | 101 А |
| Корпус | SOT-227 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Base plate | Copper, DCB isolated |
| Артикул | DSEI2x101-12A |
| Конфигурация | Parallel legs, 2 diodes |
| Момент затяжки | 1.1-1.5Nm |
| Обратный ток | At 1200V 25C: 3mA; At 960V 125C: 15mA |
| Terminal torque | 1.1-1.5Nm |
| Slope resistance | 6.1mΩ |
| Напр. изоляции | 3000V~ |
| Threshold voltage | 1.01V |
| Epoxy flammability | UL 94V-0 |
| Темп. хранения | -40 to 150°C |
| Падение напряжения | At 100A 25C: 1.87V; At 200A 25C: 2.13V; At 100A 150C: 1.61V; At 200A 150C: 1.92V |
| Емкость перехода | 107pF |
| Имп. ток прямо | 900A |
| Раб. температура | -40 to 125°C |
| Время обратного восстановления | At 25C: 150ns; At 100C: 255ns |
| Средний прямой ток | 91A |
| Общая рассеиваемая мощность | 250W |
| Rms current per terminal | 150A |
| Isolation test voltage 1s | 3000V |
| Isolation test voltage 1min | 2500V |
| Virtual junction temperature | -40 to 150°C |
| Peak reverse recovery current | At 25C: 38A; At 100C: 52A |
| Повторяющееся импульсное обратное напряжение | 1200V |
| Max non repetitive reverse voltage | 1200V |
| Thermal resistance case to heatsink | 0.10K/W |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 0.5K/W |
| Обратное напряжение | 1200 В |
| Creepage distance terminal to backside | 8.6mm |
| Creepage distance terminal to terminal | 10.5mm |
| Striking distance terminal to backside | 6.8mm |
| Striking distance terminal to terminal | 3.2mm |
| Крепление | шасси |
Заметили ошибку в описании или параметрах?