Документация
ОЗУ КМОП энергонезавистмое DS1210+
У поставщика
ПроизводительMAX
КатегорияМикросхемы
У поставщиков
89 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:89 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 243,31 |
| от 7 | 240,04 |
| от 13 | 235,89 |
| от 25 | 230,26 |
| от 50 | 222,56 |
Описание
Микросхема управления энергонезависимой памятью DS1210+ от MAX. Работает как контроллер переключения на резервное питание для КМОП-ОЗУ. Выполнена в корпусе DIP-8, поставляется в тубе. Применяется в промышленной автоматике и системах хранения данных для сохранения информации при отключении основного питания.
Технические характеристики
| Корпус | DIP-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Описание | Nonvolatile Controller Chip for CMOS RAM |
| Артикул | DS1210 |
| Вх. емкость | 5pF (typical) |
| Battery redundancy | dual battery support, highest voltage selected |
| Выходная емкость | 7pF (typical) |
| Logic input low vil | -0.3V to +0.8V |
| Supply current icci | 5mA (maximum) |
| Vcco output voltage | VCCI - 0.2V (minimum) |
| Battery current ibat | 100nA (typical) |
| Logic input high vih | 2.2V to VCC+0.3V |
| Supply current icco1 | 80mA (maximum) |
| Вх. ток утечки | -1.0µA to +1.0µA |
| Battery fail threshold | 2.0V |
| Ток утечки вых. | -1.0µA to +1.0µA |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +125°C |
| Battery switch voltage drop | less than 0.3V |
| Ce to ceo propagation delay | 5ns to 20ns (maximum 20ns) |
| Ceo output current sink iol | 4.0mA (at 0.4V) |
| Диап. раб. темп. | 0°C to +70°C, -40°C to +85°C (industrial N parts) |
| Supply voltage vcci tol gnd | 4.75V to 5.5V |
| Battery backup current icco2 | 50µA (typical) |
| Ceo output voltage high vohl | VBAT - 0.2V (minimum) |
| Supply voltage vcci tol vcco | 4.5V to 5.5V |
| Write protection ceo voltage | within 0.2V of VCCI or battery supply |
| Описание (англ.) | Nonvolatile Controller Chip |
| Ceo output current source ioh | -1.0mA (at 2.4V) |
| Ce high to power fail time tpf | 0ns (minimum) |
| Freshness seal ceo vcco forced | to VOL when batteries first attached until power-up |
| Lead temperature soldering 10s | +300°C |
| Soldering temperature reflow so | +260°C |
| Battery input voltage vbat1 vbat2 | 2.0V to 4.0V |
| Absolute maximum voltage on any pin | -0.3V to +7.0V |
| Power fail trip point vcctp tol gnd | 4.50V to 4.74V (typical 4.62V) |
| Power fail trip point vcctp tol vcco | 4.25V to 4.49V (typical 4.37V) |
| Junction to case thermal resistance so | 23°C/W |
| Junction to case thermal resistance pdip | 40°C/W |
| Junction to ambient thermal resistance so | 70°C/W |
| Junction to ambient thermal resistance pdip | 110°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?