Документация
ДП7020АС1А, SiC МОП Транзистор 650В 20мОм TO247-3L=C3M0025065D
У поставщика
ПроизводительСиловой ключ
У поставщиков
76 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:76 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 450 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1 242,00 |
| от 10 | 1 024,65 |
| от 100 | 983,25 |
Описание
SiC МОП-транзистор от производителя Силовой ключ. Работает при напряжении 650 В, имеет сопротивление открытого канала 20 мОм и выдерживает импульсный ток до 257 А. Выполнен в корпусе TO-247-3L для монтажа в отверстия. Подходит для мощных импульсных источников питания и промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Корпус | TO-247-3L |
| Тип монтажа | THT |
| Время спада | 15ns |
| Время нарастания | 17ns |
| Технология | SiC |
| Описание | SiC MOSFET Transistor |
| Артикул | ДП7020АС1А |
| Корпус | TO247-3 |
| Equivalent part | C3M0025065D |
| Заряд сток-затвор | 49nC |
| Полный заряд затвора | 187nC |
| Заряд затвор-исток | 31nC |
| Время задержки включения | 14ns |
| Время задержки выключения | 65ns |
| Current drain pulsed | 257A |
| Resistance ds on max | 30mΩ |
| Макс. рассеиваемая мощность | 312W |
| Напряжение затвор-исток макс. | -8V to +22V |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Темп. перехода мин. | -55°C |
| Resistance ds on typical | 20mΩ |
| Voltage drain source max | 650V |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 175°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1.9V |
| Diode reverse recovery time | 26ns |
| Current drain continuous 25c | 92A |
| Обратная проходная емкость | 33pF |
| Current drain continuous 100c | 64A |
| Gate threshold voltage typical | 2.6V |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 0.48°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 40°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?