Документация
ДП7016БС2Б, SiC МОП Транзистор 1200В 16мОм TO247-4L=C3M0016120K
У поставщика
ПроизводительСиловой ключ
У поставщиков
98 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:98 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 450 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2 277,00 |
| от 10 | 1 863,00 |
| от 100 | 1 787,10 |
Описание
SiC МОП-транзистор от производителя «Силовой ключ» на напряжение 1200 В и типовое сопротивление открытого канала 16 мОм. Выдерживает постоянный ток до 115 А и импульсный до 250 А, рассеиваемая мощность — 582 Вт. Корпус TO247-4L с четырьмя выводами для снижения паразитной индуктивности. Применяется в мощных импульсных источниках питания, преобразователях и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Корпус | TO247-4L |
| Тип монтажа | THT |
| Технология | SiC MOSFET |
| Описание | SiC MOSFET 1200V 16mOhm TO247-4L |
| Корпус | TO247-3 |
| Название компонента | ДП7016БС2Б |
| Gate charge total | 242nC |
| Вх. емкость | 4300pF |
| Макс. R вкл. | 21mΩ |
| On resistance typ | 16mΩ |
| Выходная емкость | 236pF |
| Current drain pulsed | 250A |
| Макс. рассеиваемая мощность | 582W |
| Gate charge gate drain | 60nC |
| Gate charge gate source | 44nC |
| Напряжение затвор-исток макс. | 22V |
| Gate source voltage min | -8V |
| Current drain continuous | 115A |
| Voltage drain source max | 1200V |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 175°C |
| Тип. пороговое Uзи | 4.5V |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to 175°C |
| Обратная проходная емкость | 35pF |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 0.23°C/W |
| Gate source voltage recommended on | 18V |
| Gate source voltage recommended off | -4V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?