Документация
DMP6050SFG-13
У поставщика
ПроизводительDIODES
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
887 шт.
Норм. уп.: 1000
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 39срок до недели
Цена за шт32,00 ₽
Сумма640,00 ₽
В наличии887 шт
от 20 штюрлицам и ИП
20 шт · Склад 39 · 640,00 ₽
Описание
P-канальный MOSFET от DIODES в компактном корпусе POWERDI3333-8 для поверхностного монтажа. Рассчитан на напряжение сток-исток до 60 В и постоянный ток 4,8 А, сопротивление открытого канала — 50 мОм при 10 В. Подходит для коммутации нагрузки, цепей защиты от переполюсовки и управления питанием в портативной и промышленной электронике.
Технические характеристики
| Тип FET | P-канал |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип монтажа | поверхностный монтаж |
| Корпус | 8-PowerVDFN |
| Описание | MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8 |
| Пороговое напряжение Vgs (Макс.) при Id | 3V @ 250µA |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Сопротивление Rds вкл. (Макс.) при Id, Vgs | 50mOhm @ 5A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (Макс.) | 1.1W (Ta) |
| Корпус по производителю | POWERDI3333-8 |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) при Vds | 1293 pF @ 30 V |
| Напряжение управления (Макс. Rds вкл., Мин. Rds вкл.) | 4.5V, 10V |
| Непрерывный ток стока (Id) при 25 °C | 4.8A (Ta) |
| Мощность, Вт | 1,8 |
| Напряжение, В | 60 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?