Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.6A
У поставщика
ПроизводительDIODES
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
855 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт8,30 ₽
Сумма830,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии855 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 100 штюрлицам и ИП
от 140 — 7,62 ₽ (−8%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 830,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 470,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
100 шт · Склад 13 · 830,00 ₽
Описание
Транзистор полевой P-канальный MOSFET от DIODES. Рабочее напряжение до 20 В, ток до 3,6 А, корпус SOT23-3. Подходит для коммутации нагрузки и управления питанием в компактных устройствах, бытовой электронике и портативной технике.
Технические характеристики
| Тип | P-channel enhancement mode MOSFET |
| Вес | 0.008g |
| Маркировка | MP3 |
| Корпус | SOT23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Без свинца | Да |
| Размеры | 2.3-2.5mm x 1.2-1.4mm x 0.37-0.51mm |
| Артикул | DMP2035U-7 |
| Без галогенов | Да |
| Материал корпуса | Molded Plastic, Green Molding Compound, UL 94V-0 |
| Защита от ЭСР | 3kV |
| Соотв. RoHS | Да |
| Сопротивление затвора | 9.45Ω |
| Заряд сток-затвор | 3.3nC |
| Вх. емкость | 1610pF |
| Рассеиваемая мощность | 0.81W |
| Полный заряд затвора | 15.4nC |
| Время нарастания | 12.4ns |
| Заряд затвор-исток | 2.5nC |
| Выходная емкость | 157pF |
| Время спада | 42.4ns |
| Время задержки включения | 16.8ns |
| Ток утечки затвор-исток | ±10µA |
| Время задержки выключения | 94.1ns |
| Импульсный ток стока | 24A |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±8V |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Макс. напряжение сток-исток | -20V |
| Напр. диода макс. | -1.0V |
| Тип. прямое напряжение диода | -0.7V |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -1.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -0.4V |
| Тип. пороговое Uзи | -0.7V |
| Уровень чувствительности к влаге | Уровень 1 |
| Прямая передаточная проводимость | 14S |
| Диап. раб. темп. | -55 to +150°C |
| Длительный ток стока 25°C | 3.6A |
| Непрерывный ток стока, 70 °C | 2.9A |
| Обратная проходная емкость | 145pF |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT-23 |
| Напряжение пробоя сток-исток | -20V |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора | -1.0µA |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 153.5°C/W |
| Static drain source on resistance vgs 1.8v id 2a max | 62mΩ |
| Static drain source on resistance vgs 1.8v id 2a typ | 41mΩ |
| Static drain source on resistance vgs 2.5v id 4a max | 45mΩ |
| Static drain source on resistance vgs 2.5v id 4a typ | 30mΩ |
| Static drain source on resistance vgs 4.5v id 4a max | 35mΩ |
| Static drain source on resistance vgs 4.5v id 4a typ | 23mΩ |
Заметили ошибку в описании или параметрах?