Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 2.3А
У поставщика
ПроизводительDIODES
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
517 шт.
Норм. уп.: 2500
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт49,46 ₽
Сумма741,90 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии517 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 15 штюрлицам и ИП
от 47 — 45,32 ₽ (−8%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 741,90 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 558,10 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
15 шт · Склад 13 · 741,90 ₽
Описание
Транзистор MOSFET P-канального типа от DIODES. Работает при напряжении до 100 В и токе до 2,3 А, выпускается в компактном корпусе SOT-223-3. Подходит для применения в автомобильной электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Вес | 0.112g |
| Корпус | SOT-223-3 |
| Тип монтажа | SMD |
| Без свинца | Да |
| Упаковка | 2,500 / Tape & Reel |
| Описание | 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Артикул | DMP10H400SEQ-13 |
| Тип канала | P-канал |
| Без галогенов | Да |
| PPAP | Да |
| Без сурьмы | Да |
| Материал корпуса | Molded Plastic, Green Molding Compound |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Покрытие выводов | Matte Tin Annealed over Copper Lead Frame |
| Сопротивление затвора Rg | 13Ω |
| Время нарастания при включении (tr) | 15.9ns |
| Заряд затвор-сток (Qgd) | 3.2nC |
| Время спада при выключении (tf) | 34.4ns |
| Заряд затвор-исток (Qgs) | 2.5nC |
| Входная ёмкость Ciss | 1239pF |
| Рейтинг горючести UL | 94V-0 |
| Выходная ёмкость Coss | 42pF |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Ток утечки затвор-исток IGSS | ±100nA |
| Gate source voltage vgss | ±20V |
| Импульсный ток стока | -10A |
| Задержка включения (td on) | 9.1ns |
| Напряжение сток-исток (VDSS) | -100V |
| Уровень чувствительности к влаге | Level 1 per J-STD-020 |
| Total gate charge qg vgs10 | 17.8nC |
| Total gate charge qg vgs45 | 8.4nC |
| Задержка выключения | 47.4ns |
| Total power dissipation ta25 | 2.0W |
| Total power dissipation ta70 | 1.3W |
| Общая рассеиваемая мощность при 25 °C | 13.7W |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 100V 2.3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
| Прямое напряжение диода VSD, макс. | -1.2V |
| Diode forward voltage vsd typ | -0.9V |
| Continuous drain current id ta25 | -2.3A |
| Continuous drain current id ta70 | -1.8A |
| Непрерывный ток стока, Tc 25 °C | -6.0A |
| Пороговое напряжение затвора VGS(th), макс. | -3.0V |
| Пороговое напряжение затвора VGS(th), мин. | -1.0V |
| Тип. пороговое напряжение затвора VGS(th) | -2.2V |
| Обратная проходная ёмкость (Crss) | 28pF |
| Время обратного восстановления диода trr | 25.2ns |
| Напряжение пробоя сток-исток (BVDSS) | -100V |
| Ток стока при нулевом затворе IDSS | 1µA |
| Maximum body diode forward current is | -1.9A |
| Заряд обратного восстановления диода Qrr | 24.5nC |
| Диапазон раб. и темп. хранения | -55 to +150°C |
| Тепловое сопротивление переход-корпус RthJC | 9.1°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62°C/W |
| Static drain source on resistance rds on vgs10 | 250mΩ |
| Static drain source on resistance rds on vgs45 | 300mΩ |
Заметили ошибку в описании или параметрах?