+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
DMP1005UFDF-7
Документация

DMP1005UFDF-7

Артикул:1055570
У поставщика
ПроизводительDIODES
У поставщиков
3 шт.
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
3 шт · Склад 39 · 57,09 ₽
Описание

Мосфет P-Channel от DIODES в компактном корпусе U-DFN2020-6 для поверхностного монтажа. Рассчитан на напряжение сток-исток 12 В и постоянный ток до 26 А, сопротивление открытого канала — всего 8,5 мОм. Подходит для коммутации нагрузок в портативной и бытовой электронике, системах питания и защитных цепях.

Технические характеристики
Тип FETP-канал
Vgs (Макс.)±8V
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажаповерхностный монтаж
Корпус6-UDFN Exposed Pad
ОписаниеMOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN
Пороговое напряжение Vgs (Макс.) при Id1V @ 250µA
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Сопротивление Rds вкл. (Макс.) при Id, Vgs8.5mOhm @ 5A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (Макс.)2.1W (Ta)
Корпус по производителюU-DFN2020-6 (Type F)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs47 nC @ 8 V
Напряжение сток-исток (Vdss)12 V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) при Vds2475 pF @ 6 V
Напряжение управления (Макс. Rds вкл., Мин. Rds вкл.)1.8V, 4.5V
Непрерывный ток стока (Id) при 25 °C26A (Tc)
ТипMOSFET

Заметили ошибку в описании или параметрах?