Документация
Описание
Полевой N-канальный MOSFET-транзистор DMN65D8L-7 от DIODES Inc. Выполнен в миниатюрном корпусе SOT23 для поверхностного монтажа, имеет сопротивление открытого канала до 3 Ом и низкое напряжение затвора. Подходит для высокоскоростной коммутации в портативной и автомобильной электронике.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Вес | 0.008487g |
| Корпус | SOT23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 7.3ns |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 2.8ns |
| ESD рейтинг | 1kV |
| Шаг выводов | 1.3mm (typical) |
| Артикул | DMN65D8L-7 |
| Green device | Да |
| Без галогенов | Да |
| Код маркировки | MM6 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Gate resistance | 79.9Ω |
| Rds on max vgs5v | 4Ω |
| Заряд сток-затвор | 0.11nC |
| Вх. емкость | 22pF |
| Rds on max vgs10v | 3Ω |
| AEC-Q101 | Да |
| Заряд затвор-исток | 0.11nC |
| Выходная емкость | 3.2pF |
| Размеры упаковки | 2.9mm x 2.4mm x 0.4mm (typical body) |
| Время задержки включения | 2.7ns |
| Время задержки выключения | 12.6ns |
| Импульсный ток стока | 800mA |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Power dissipation note5 | 540mW |
| Power dissipation note6 | 370mW |
| Макс. напряжение сток-исток | 60V |
| Switching test condition | VDD=30V, ID=0.115A, VGEN=10V, RGEN=25Ω |
| Total gate charge vgs10v | 0.87nC |
| Напр. диода макс. | 1.2V |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Total gate charge vgs4 5v | 0.43nC |
| Capacitance test condition | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz |
| Gate charge test condition | VGS=10V, VDS=30V, ID=150mA |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 2.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1.2V |
| Диап. раб. темп. | -55°C to +150°C |
| Forward transconductance min | 80mS |
| Rds on typical vgs5v id115ma | 2.5Ω |
| Обратная проходная емкость | 2.0pF |
| Body diode continuous current | 500mA |
| Diode forward voltage typical | 0.8V |
| Rds on typical vgs10v id115ma | 2.5Ω |
| Forward transconductance typical | 290mS |
| Continuous drain current vgs5v 25c | 270mA |
| Continuous drain current vgs10v 25c | 310mA |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 91°C/W |
| Diode forward voltage test condition | IS=115mA |
| Gate threshold voltage test condition | VDS=VGS, ID=250µA |
| Thermal resistance junction to ambient note5 | 241°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient note6 | 348°C/W |
| Тип транзистора | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
Заметили ошибку в описании или параметрах?