+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
DMN6140L-13
Документация

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.3А 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Артикул:890179
У поставщика
ПроизводительDIODES
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
2 656 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 656 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 60 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 111,73
от 10211,04
от 20410,22
от 4089,38
от 8168,72
Описание

Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от DIODES. Работает при напряжении до 60 В и токе до 2,3 А, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации нагрузок в компактных блоках питания, DC-DC преобразователях и портативной электронике.

Технические характеристики
ТипN-channel MOSFET
БрендDiodes Incorporated
Вес0.0072g
МаркировкаN61
КорпусSOT-23-3
Тип монтажаSMD
Время спада2.7ns
Без свинцаДа
Время нарастания3.6ns
Без галогеновДа
Без сурьмыДа
Соотв. RoHSДа
Gate resistance0.65Ω
Заряд сток-затвор1.7nC
Вх. емкость315pF
Rds on max vgs10v140mΩ
Rds on typ vgs10v125mΩ
AEC-Q101Да
Заряд затвор-исток1.0nC
Выходная емкость18pF
Rds on max vgs4 5v170mΩ
Rds on typ vgs4 5v147mΩ
Время задержки включения2.6ns
Темп. хранения-55 to +150°C
Время задержки выключения16.3ns
Импульсный ток стока10A
Время обратного восстановления19.8ns
Напряжение затвор-исток макс.±20V
Power dissipation note50.74W
Power dissipation note61.38W
Заряд обратного восстановления6.0nC
Total gate charge vgs5v4.0nC
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Макс. напряжение сток-исток60V
Total gate charge vgs10v8.6nC
Напр. диода макс.1.0V
Пороговое напряжение затвора макс.3V
Пороговое напряжение затвора мин.1V
Обратная проходная емкость16pF
Описание (англ.)MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Continuous body diode current1.5A
Diode forward voltage typical0.75V
Рабочая температура перехода-55 to +150°C
Тепловое сопр. переход-корпус39°C/W
Continuous drain current 25c vgs10v2.3A
Continuous drain current 25c vgs4 5v2.1A
Thermal resistance junction ambient note5183°C/W
Thermal resistance junction ambient note694°C/W

Заметили ошибку в описании или параметрах?