
Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.3А 3-Pin SOT-23 лента на катушке
У поставщика
ПроизводительDIODES
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
2 656 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 656 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 60 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 11,73 |
| от 102 | 11,04 |
| от 204 | 10,22 |
| от 408 | 9,38 |
| от 816 | 8,72 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от DIODES. Работает при напряжении до 60 В и токе до 2,3 А, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации нагрузок в компактных блоках питания, DC-DC преобразователях и портативной электронике.
Технические характеристики
| Тип | N-channel MOSFET |
| Бренд | Diodes Incorporated |
| Вес | 0.0072g |
| Маркировка | N61 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 2.7ns |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 3.6ns |
| Без галогенов | Да |
| Без сурьмы | Да |
| Соотв. RoHS | Да |
| Gate resistance | 0.65Ω |
| Заряд сток-затвор | 1.7nC |
| Вх. емкость | 315pF |
| Rds on max vgs10v | 140mΩ |
| Rds on typ vgs10v | 125mΩ |
| AEC-Q101 | Да |
| Заряд затвор-исток | 1.0nC |
| Выходная емкость | 18pF |
| Rds on max vgs4 5v | 170mΩ |
| Rds on typ vgs4 5v | 147mΩ |
| Время задержки включения | 2.6ns |
| Темп. хранения | -55 to +150°C |
| Время задержки выключения | 16.3ns |
| Импульсный ток стока | 10A |
| Время обратного восстановления | 19.8ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Power dissipation note5 | 0.74W |
| Power dissipation note6 | 1.38W |
| Заряд обратного восстановления | 6.0nC |
| Total gate charge vgs5v | 4.0nC |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Макс. напряжение сток-исток | 60V |
| Total gate charge vgs10v | 8.6nC |
| Напр. диода макс. | 1.0V |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 3V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1V |
| Обратная проходная емкость | 16pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
| Continuous body diode current | 1.5A |
| Diode forward voltage typical | 0.75V |
| Рабочая температура перехода | -55 to +150°C |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 39°C/W |
| Continuous drain current 25c vgs10v | 2.3A |
| Continuous drain current 25c vgs4 5v | 2.1A |
| Thermal resistance junction ambient note5 | 183°C/W |
| Thermal resistance junction ambient note6 | 94°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?