Документация
DMN6040SSS-13
У поставщика
ПроизводительDIODES
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
1 шт.
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:1 шт.
Срок поставки: до недели
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 28,04 |
Описание
N-канальный MOSFET-транзистор от DIODES в корпусе 8-SO для поверхностного монтажа. Рассчитан на напряжение сток-исток 60 В и постоянный ток до 5.5 А, сопротивление открытого канала — 40 мОм. Управляется логическим уровнем от 4.5 В, рабочая температура до +150 °C. Подходит для коммутации нагрузки, импульсных источников питания и схем управления в промышленной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Описание | MOSFET N-CH 60V 5.5A 8SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 4.5A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22.4 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1287 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Ta) |
Заметили ошибку в описании или параметрах?