Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5.8А 0.72Вт
У поставщика
ПроизводительDIODES
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
9 981 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт3,30 ₽
дешевле всех
Сумма660,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии4 116 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 200 штюрлицам и ИП
от 309 — 2,96 ₽ (−10%)
Склад 39срок до недели
Цена за шт7,73 ₽
Сумма1 546,00 ₽
В наличии5 865 шт
от 100 штюрлицам и ИП
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 660,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 640,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
200 шт · Склад 13 · 660,00 ₽
Описание
Полевой N-канальный MOSFET-транзистор от DIODES рассчитан на напряжение 30 В и ток до 5.8 А при мощности 0.72 Вт. Компонент выполнен в компактном корпусе SOT23-3. Подходит для применения в автомобильной электронике и цепях управления нагрузкой.
Технические характеристики
| Вес | 0.008 grams |
| Корпус | SOT23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Соответствие | RoHS, Halogen and Antimony Free, AEC-Q101 (for Q version) |
| Описание | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Артикул | DMN3404L-7 |
| Применение | Battery Charging, Power Management Functions, DC-DC Converters, Portable Power Adaptors |
| Код маркировки | 34N |
| Материал корпуса | Molded Plastic, Green Molding Compound |
| Сопротивление затвора | 2.8Ω |
| Покрытие выводов | Matte Tin annealed over Copper leadframe |
| Заряд сток-затвор | 2.1nC |
| Вх. емкость | 498pF |
| Время нарастания | 13ns |
| Заряд затвор-исток | 1.4nC |
| Выходная емкость | 52pF |
| Время спада | 10ns |
| Время задержки включения | 10ns |
| Класс горючести | 94V-0 |
| Ток утечки затвор-исток | ±100nA |
| Время задержки выключения | 28ns |
| Напр. диода | 1.0V |
| Рассеиваемая мощность, прим. 6 | 0.72W |
| Power dissipation note7 | 1.4W |
| Total gate charge vgs3v | 5.3nC |
| Макс. напряжение затвор-исток | ±20V |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Импульсный ток стока, макс. | 30A |
| Total gate charge vgs10v | 16nC |
| Макс. напряжение сток-исток | 30V |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Total gate charge vgs4 5v | 7.5nC |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 2.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1.0V |
| Тип. пороговое Uзи | 1.5V |
| Уровень чувствительности к влаге | 1 per J-STD-020 |
| Прямая передаточная проводимость | 10S |
| Диап. раб. темп. | -55 to +150°C |
| Обратная проходная емкость | 45pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 30V 5.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
| Напряжение пробоя сток-исток | 30V |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора | 1.0μA |
| Current drain continuous 25c vgs3v note7 | 2.0A |
| Current drain continuous 25c vgs10v note6 | 4.2A |
| Current drain continuous 25c vgs10v note7 | 5.8A |
| Thermal resistance junction ambient note6 | 173°C/W |
| Thermal resistance junction ambient note7 | 90°C/W |
| Current drain continuous 25c vgs4 5v note7 | 4.8A |
| Static drain source on resistance vgs3v id2a 25c | 82mΩ |
| Static drain source on resistance vgs3v id2a 40c | 74mΩ |
| Static drain source on resistance vgs3v id2a 85c | 95mΩ |
| Static drain source on resistance vgs10v id5 8a 25c | 28mΩ |
| Static drain source on resistance vgs4 5v id4 8a 25c | 42mΩ |
| Static drain source on resistance vgs4 5v id4 8a 40c | 27mΩ |
Заметили ошибку в описании или параметрах?