Документация
Описание
DMG6402LDM-7 — N-канальный MOSFET-транзистор от компании Diodes Incorporated, выпускаемый в компактном SMD-корпусе. Компонент предназначен для поверхностного монтажа и отличается низким сопротивлением открытого канала, что обеспечивает высокую эффективность коммутации. Применяется в схемах управления питанием, DC-DC преобразователях, цепях защиты и других устройствах, где требуется надежная работа при малых потерях мощности.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Статус | not_recommended_for_new_design |
| Вес | 0.008 grams (approximate) |
| Маркировка | 34N |
| Корпус | SOT-26 |
| Тип монтажа | SMD |
| Без свинца | Да |
| Клеммы | Matte Tin Solderable per MIL-STD-202, Method 208 |
| Размеры | A: 0.35-0.50mm (typ 0.38); B: 1.50-1.70mm (typ 1.60); C: 2.70-3.00mm (typ 2.80); D: 0.95mm (typ); H: 2.90-3.10mm (typ 3.00); J: 0.013-0.10mm (typ 0.05); K: 1.00-1.30mm (typ 1.10); Индуктивность: 0.35-0.55mm (typ 0.40); M: 0.10-0.20mm (typ 0.15); Α: 0°-8° |
| Replacement | DMG6402LVT DMG6402LDM |
| Экологичный компонент | Да |
| Материал корпуса | Molded Plastic, UL Flammability Rating 94V-0 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Сопротивление затвора | 1.51Ω typ |
| Заряд сток-затвор | 1.8nC typ |
| Вх. емкость | 404pF typ |
| Рассеиваемая мощность | 1.12W |
| Полный заряд затвора | 9.2nC typ |
| Время нарастания | 6.18ns typ |
| AEC-Q101 | Да |
| Заряд затвор-исток | 1.2nC typ |
| Выходная емкость | 52pF typ |
| Время спада | 2.84ns typ |
| Время задержки включения | 3.41ns typ |
| Ток утечки затвор-исток | ±100nA |
| Время задержки выключения | 13.92ns typ |
| Чувствит. к влаге | Level 1 per J-STD-020 |
| Информация для заказа | Корпус: SOT-26; Упаковка: 3000/Tape & Reel; Артикул: DMG6402LDM-7 |
| Импульсный ток стока | 31A |
| Рекомендуемая посадочная площадка | C: 2.40mm; E: 0.95mm; G: 1.60mm; X: 0.55mm; Y: 0.80mm; Z: 3.20mm |
| Напр. диода | 0.75V typ, 1.0V max |
| Пороговое напряжение затвора | 1.0V min, 1.5V typ, 2.0V max |
| Непрерывный ток стока | 5.2A (TA=70°C), 4.3A (TA=25°C) |
| Gate source voltage vgss | ±20V |
| Напряжение сток-исток (VDSS) | 30V |
| Прямая передаточная проводимость | 10S typ |
| Обратная проходная емкость | 45pF typ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 30V |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора | 1.0μA (max) |
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии | 22mΩ typ, 40mΩ max (VGS=4.5V, ID=7A); 32mΩ typ, 70mΩ max (VGS=10V, ID=5.6A) |
| Термосопротивление переход-среда | 111°C/W |
| Диапазон раб. и темп. хранения | -55 to +150°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?