Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 4A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
У поставщика
ПроизводительDIODES
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
3 354 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт7,72 ₽
Сумма772,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии3 354 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 100 штюрлицам и ИП
от 149 — 7,07 ₽ (−8%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 772,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 528,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
100 шт · Склад 13 · 772,00 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от DIODES. Работает при напряжении до 30 В и выдерживает ток до 4 А, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для применения в автомобильной электронике и промышленных устройствах.
Технические характеристики
| Вес | 0.008g |
| Корпус | SOT23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Упаковка | 3000/Tape & Reel |
| Кол-во выводов | 3 |
| Rds(on) при 10 В | 52mΩ |
| Описание | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| Артикул | DMG3402L-7 |
| Rds on 2 5v | 85mΩ |
| RDS(on) при 4.5 В | 65mΩ |
| Без галогенов | Да |
| Код маркировки | N32 |
| Без сурьмы | Да |
| Ток стока | 4.0A |
| Соотв. RoHS | Да |
| Сопротивление затвора | 2.2Ω |
| Ток утечки затвор-подложка | ±100nA |
| Заряд сток-затвор | 1.8nC |
| Вх. емкость | 464pF |
| Рассеиваемая мощность | 1.4W |
| Время нарастания | 1.6ns |
| AEC-Q101 | Да |
| Заряд затвор-исток | 1.1nC |
| Выходная емкость | 49.5pF |
| Время спада | 2.0ns |
| Время задержки включения | 1.9ns |
| Напряжение затвор-исток | ±12V |
| Время задержки выключения | 10.3ns |
| Напряжение сток-исток | 30V |
| Total gate charge 10v | 11.7nC |
| Пороговое напряжение затвора | 0.6V to 1.4V |
| Total gate charge 4 5v | 5.5nC |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 6.6S |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Уровень чувствительности к влаге | Level 1 per J-STD-020 |
| Диап. раб. темп. | -55 to +150°C |
| Обратная проходная емкость | 43.8pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 30V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
| Непрерывный ток диода тела | 1.5A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 30V |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора | 1µA |
| Source drain diode forward voltage | 1.16V |
| Термосопротивление переход-среда | 90°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?