Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.5A
У поставщика
ПроизводительDIODES
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
1 377 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт6,89 ₽
Сумма689,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии1 377 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 100 штюрлицам и ИП
от 165 — 6,28 ₽ (−9%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 689,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 611,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
100 шт · Склад 13 · 689,00 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канального типа от DIODES. Работает при напряжении до 30 В и токе до 2,5 А, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации нагрузок в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Статус | Not Recommended for New Design |
| Вес | 0.08g |
| Маркировка | G24 |
| Корпус | SOT23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Упаковка | 3000 Tape & Reel |
| Соответствие | RoHS: Да; Aec q101: Да; Без свинца: Да; Без галогенов: Да; PPAP: Да; Без сурьмы: Да |
| Rds(вкл) макс. | Vgs 10v: 90mΩ; Vgs 4 5v: 134mΩ |
| Rds(вкл) тип. | Vgs 10v id 2 5a: 75mΩ; Vgs 4 5v id 2 5a: 105mΩ |
| Описание | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Артикул | DMG2307L-7 |
| Alternatives | DMP3125L, DMG2307L |
| Тип канала | P-канал |
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Материал корпуса | Molded Plastic, Green Molding Compound, UL Flammability Classification Rating 94V-0 |
| Покрытие выводов | Matte Tin Annealed over Copper Leadframe, Solderable per MIL-STD-202, Method 208 e3 |
| Формат кода даты | YM |
| Сопротивление затвора Rg | 17Ω |
| Общий заряд затвора (Qg) | Vgs 10v: 8.2nC; Vgs 4 5v: 4.0nC |
| Время нарастания при включении (tr) | 7.4ns |
| Заряд затвор-сток (Qgd) | 1.2nC |
| Время спада при выключении (tf) | 13.4ns |
| Заряд затвор-исток (Qgs) | 0.9nC |
| Входная ёмкость Ciss | 371.3pF |
| Выходная ёмкость Coss | 51.3pF |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Ток утечки затвор-исток IGSS | ±100nA |
| Gate source voltage vgss | ±20V |
| Импульсный ток стока | -20A |
| Температура хранения | -55 to +150°C |
| Задержка включения (td on) | 4.8ns |
| Прямое напряжение диода, В | Max: -1.0V; Typ: -0.75V |
| Напряжение сток-исток (VDSS) | -30V |
| Уровень чувствительности к влаге | Level 1 per J-STD-020 |
| Общая рассеиваемая мощность Pd | Примечание 6: 0.76W; Note7: 1.36W; Note7 10sec: 1.9W |
| Задержка выключения | 22.3ns |
| Длительный ток стока | Ta 25c 10sec vgs 10v: -4.6A; Ta 70c 10sec vgs 10v: -3.6A; Ta 25c steady state vgs 10v: -2.5A; Ta 70c steady state vgs 10v: -2.0A; Ta 25c steady state vgs 4 5v: -3.1A; Ta 70c steady state vgs 4 5v: -2.5A; Ta 25c steady state vgs 10v note7: -3.8A; Ta 70c steady state vgs 10v note7: -3.0A |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23 |
| Пороговое напряжение затвора (Vgs th) | Max: -3.0V; Min: -1.0V |
| Forward transfer admittance yfs | 4.8S |
| Рабочая температура перехода Tj | -55 to +150°C |
| Обратная проходная ёмкость (Crss) | 45.9pF |
| Напряжение пробоя сток-исток (BVDSS) | -30V |
| Ток стока при нулевом затворе IDSS | -1.0μA |
| Тепловое сопротивление переход-среда | Примечание 6: 159°C/W; Note7: 94°C/W; Note7 10sec: 65.8°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?