Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
У поставщика
ПроизводительDIODES
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
42 шт.
Норм. уп.: 3000
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный от DIODES. Работает при напряжении до 20 В и токе до 4.2 А, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для автомобильной электроники и цепей управления питанием.
Технические характеристики
| Заряд затвора | 10.2nC |
| Rg | 15.2Ω |
| Tf | 34.7ns |
| Tr | 13.7ns |
| Заряд затвор-сток | 2.1nC |
| Заряд затвор-исток | 2.3nC |
| Ciss | 808pF |
| Coss | 85pF |
| Crss | 77pF |
| Пробивное напряжение сток-исток | -20V |
| Td(вкл) | 10.8ns |
| Рассеиваемая мощность при 25°C | 1.4W |
| Тепловое сопротивление переход-корпус | 33°C/W |
| Td(выкл) | 79.3ns |
| Вес | 0.009g |
| Маркировка | 23X |
| Корпус | SOT23 |
| Макс. Vgs | ±8V |
| Aec q101 | Да |
| Тип монтажа | SMD |
| Количество | 3000 |
| Ток стока импульсный | -10A |
| Без свинца | Да |
| Упаковка | Лента и катушка |
| Клеммы | Matte Tin Annealed over Copper Leadframe |
| Vgs порог макс. | -0.9V |
| Vgs порог мин. | -0.5V |
| Горючесть | UL 94V-0 |
| Без галогенов | Да |
| Без сурьмы | Да |
| Материал корпуса | Molded Plastic, Green Molding Compound |
| Rth ja steady | 90°C/W |
| Соотв. RoHS | Да |
| Rds on vgs 1.8v | 200mΩ |
| Rds on vgs 2.5v | 100mΩ |
| Rds on vgs 4.5v | 52mΩ |
| Rth ja t lt 10s | 64°C/W |
| Макс. темп. хр. | +150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Ток стока непрерывный 25C | -4.2A |
| Непрерывный ток стока 70°C | -3.3A |
| Макс. раб. темп. | +150°C |
| Мин. раб. темп. | -55°C |
| Automotive compliant | Да |
| Чувствит. к влаге | Level 1 per J-STD-020 |
| Ширина корпуса | 1.30mm |
| Высота корпуса | 1.00mm |
| Длина корпуса | 2.90mm |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
Заметили ошибку в описании или параметрах?