Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
У поставщика
ПроизводительDIODES
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
581 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт14,10 ₽
Сумма705,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии581 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 50 штюрлицам и ИП
от 126 — 12,57 ₽ (−11%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 705,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 595,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
50 шт · Склад 13 · 705,00 ₽
Описание
Транзистор MOSFET P-канального типа от DIODES. Рабочее напряжение до 20 В, ток до 4,2 А, выполнен в компактном корпусе SOT-23. Подходит для применения в автомобильной электронике и цепях управления питанием.
Технические характеристики
| Тип | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Вес | 0.009g |
| Idm max | -10A |
| Маркировка | 23X |
| Корпус | SOT23 |
| Макс. Vds | -20V |
| Макс. Vgs | ±8V |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | P-канал |
| Время спада | 34.7ns |
| Время нарастания | 13.7ns |
| Шаг выводов | 1.78-2.05mm |
| Id pulsed 25c | -5.0A |
| Rds on vgs 1v8 | 200mΩ @ VGS=-1.8V, ID=-2A |
| Rds on vgs 2v5 | 100mΩ @ VGS=-2.5V, ID=-3.4A |
| Rds on vgs 4v5 | 52mΩ @ VGS=-4.5V, ID=-4.2A |
| Сопротивление затвора | 15.2Ω |
| Заряд сток-затвор | 2.3nC |
| Ток стока непрерывный 25C | -4.2A |
| Непрерывный ток стока 70°C | -3.3A |
| Вх. емкость | 808pF |
| Полный заряд затвора | 10.2nC |
| Макс. пороговое Vgs | -0.9V |
| Мин. пороговое Vgs | -0.5V |
| Заряд затвор-исток | 1.2nC |
| Выходная емкость | 85pF |
| Время задержки включения | 10.8ns |
| Время задержки выключения | 79.3ns |
| Автомобильный | Да |
| Ширина корпуса | 2.30-2.50mm |
| Тепловое сопротивление JC | 33°C/W |
| Высота корпуса | 0.37-0.51mm |
| Длина корпуса | 2.80-3.00mm |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Power dissipation steady | 1.4W |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Уровень чувствительности к влаге | Уровень 1 |
| Прямая передаточная проводимость | 9S @ VDS=-5V, ID=-4A |
| Диап. раб. темп. | -55 to +150°C |
| Обратная проходная емкость | 77pF |
| Thermal resistance ja pulsed | 64°C/W |
| Thermal resistance ja steady | 90°C/W |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
Заметили ошибку в описании или параметрах?