Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.8A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
У поставщика
ПроизводительDIODES
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
484 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт8,22 ₽
Сумма822,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии484 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 100 штюрлицам и ИП
от 246 — 7,12 ₽ (−13%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 822,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 478,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
100 шт · Склад 13 · 822,00 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от DIODES. Рабочее напряжение до 20 В, ток до 2,8 А, выполнен в компактном корпусе SOT-23. Подходит для применения в автомобильной электронике и коммутации нагрузок.
Технические характеристики
| Вес | 0.009g |
| Корпус | SOT23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Без свинца | Да |
| Упаковка | Лента и катушка |
| Описание | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Артикул | DMG2302UK-7 |
| Без галогенов | Да |
| Код маркировки | 22K |
| Без сурьмы | Да |
| Материал корпуса | Molded Plastic, Green Molding Compound, UL Flammability Classification Rating 94V-0 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Покрытие выводов | Matte Tin Annealed over Copper Leadframe |
| AEC-Q101 | Да |
| Esd protected gate | Да |
| Сопротивление затвора Rg | 2.7Ω |
| Чувствит. к влаге | Level 1 per J-STD-020 |
| Packaging quantity 7 | 3000 |
| Время нарастания при включении (tr) | 2.7ns |
| Заряд затвор-сток (Qgd) | 0.5nC |
| Packaging quantity 13 | 10000 |
| Время спада при выключении (tf) | 1.7ns |
| Заряд затвор-исток (Qgs) | 0.1nC |
| Входная ёмкость Ciss | 130pF |
| Выходная ёмкость Coss | 26pF |
| Turn on delay time tdon | 0.6ns |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Ток утечки затвор-исток IGSS | ±10µA |
| Gate source voltage vgss | ±12V |
| Импульсный ток стока | 12A |
| Напряжение сток-исток (VDSS) | 20V |
| Время обратного восстановления | 5.3ns |
| Turn off delay time tdoff | 4.2ns |
| Total gate charge qg vgs10 | 2.8nC |
| Total gate charge qg vgs45 | 1.4nC |
| Заряд обратного восстановления, Qrr | 0.5nC |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
| Прямое напряжение диода VSD, макс. | 1.2V |
| Diode forward voltage vsd typ | 0.7V |
| Continuous drain current id ta25 | 2.8A |
| Continuous drain current id ta70 | 2.2A |
| Пороговое напряжение затвора VGS(th), макс. | 1.0V |
| Пороговое напряжение затвора VGS(th), мин. | 0.3V |
| Тип. пороговое напряжение затвора VGS(th) | 0.6V |
| Total power dissipation pd note5 | 0.66W |
| Total power dissipation pd note6 | 1.1W |
| Обратная проходная ёмкость (Crss) | 18pF |
| Напряжение пробоя сток-исток (BVDSS) | 20V |
| Continuous drain current id ta25 vgs45 | 2.8A |
| Continuous drain current id ta70 vgs45 | 2.2A |
| Zero gate voltage drain current idss ta25 | 10µA |
| Max continuous body diode forward current is | 1.1A |
| Operating and storage temperature range tj tstg | -55 to +150°C |
| Static drain source on resistance rds on vgs25 max | 120mΩ |
| Static drain source on resistance rds on vgs25 typ | 81mΩ |
| Static drain source on resistance rds on vgs45 max | 90mΩ |
| Static drain source on resistance rds on vgs45 typ | 68mΩ |
| Тепловое сопротивление кристалл-среда RthJA, прим. 5 | 192°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient rthja note6 | 115°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?