Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0.63A автомобильного применения 3-Pin SOT-523 лента на катушке
У поставщика
ПроизводительDIODES
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
5 927 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт9,55 ₽
Сумма955,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии5 927 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 100 штюрлицам и ИП
от 194 — 8,36 ₽ (−12%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 955,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 345,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
100 шт · Склад 13 · 955,00 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от DIODES. Работает при напряжении до 20 В и токе до 0,63 А, выпускается в компактном корпусе SOT-523. Подходит для автомобильной электроники и коммутации нагрузок в ограниченном пространстве.
Технические характеристики
| Вес | 0.002g |
| Корпус | SOT-523 |
| Без свинца | Да |
| Упаковка | 3000/Tape & Reel |
| Артикул | DMG1012T-7 |
| Без галогенов | Да |
| Без сурьмы | Да |
| Тип монтажа | SMD |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Тип компонента | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Защита от ЭСР | 2kV |
| Кол-во выводов | 3 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Общий заряд затвора (Qg) | 736.6pC |
| Время нарастания при включении (tr) | 6.7ns |
| Заряд затвор-сток (Qgd) | 196.6pC |
| Время спада при выключении (tf) | 12.4ns |
| Заряд затвор-исток (Qgs) | 136.6pC |
| Входная ёмкость Ciss | 60.67pF |
| Рейтинг горючести UL | 94V-0 |
| Выходная ёмкость Coss | 9.68pF |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Ток утечки затвор-исток IGSS | ±1.0µA |
| Gate source voltage vgss | ±6V |
| Импульсный ток стока | 6A |
| Задержка включения (td on) | 5.1ns |
| Прямое напряжение диода, В | 1.2V |
| Напряжение сток-исток (VDSS) | 20V |
| Уровень чувствительности к влаге | Level 1 per J-STD-020 |
| Общая рассеиваемая мощность Pd | 0.28W |
| Задержка выключения | 17.3ns |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive 3-Pin SOT-523 T/R |
| Forward transfer admittance yfs | 1.4S |
| Continuous drain current id ta25c | 0.63A |
| Continuous drain current id ta85c | 0.45A |
| Пороговое напряжение Vgs(th), макс. | 1.0V |
| Пороговое напряжение затвора, В | 0.5V |
| Обратная проходная ёмкость (Crss) | 5.37pF |
| Напряжение пробоя сток-исток (BVDSS) | 20V |
| Ток стока при нулевом затворе IDSS | 100nA |
| Диапазон раб. и темп. хранения | -55 to +150°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 452°C/W |
| Static drain source on resistance rds on vgs1 8v | 0.7Ω |
| Static drain source on resistance rds on vgs2 5v | 0.5Ω |
| Static drain source on resistance rds on vgs4 5v | 0.4Ω |
Заметили ошибку в описании или параметрах?