Документация
DGD600H120L2T, IGBT модуль 1200В 600A полумост ED3 = DFI600HF12I4ME1
У поставщика
ПроизводительWXDH
У поставщиков
10 шт.
Норм. уп.: 3
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:10 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3
Минимальная партия: 30 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 15 939,00 |
| от 3 | 15 712,38 |
Описание
IGBT модуль DGD600H120L2T от производителя WXDH (Jiangsu Donghai Semiconductor) выполнен в корпусе EconoDUAL3 для монтажа THT с винтовыми клеммами. Компонент рассчитан на напряжение 1200 В и постоянный ток 600 А, имеет типовое напряжение насыщения 1,79 В при 600 А и импульсный ток до 1200 А. Применяется в промышленной автоматике, частотных преобразователях и силовых источниках питания.
Технические характеристики
| CTI | >200 |
| Вес | 356g |
| Корпус | EconoDUAL3 |
| Тип монтажа | THT (module with baseplate, screw terminals) |
| Компонент | DGD600H120L2T |
| Diode i2t | 35000 A²s @ tp=10ms, VR=0V, Tvj=150°C |
| Current dc | 600A @ Tc=100°C |
| Размеры | See datasheet diagram (not specified in text) |
| Voltage ce | 1200V |
| Описание | IGBT Module, Half bridge, 1200V, 600A, EconoDUAL3 |
| Gate charge | 3.5 µC |
| Макс. напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.4V @ 600A, 25°C |
| Vce sat typ | 1.79V @ 600A, 25°C |
| Gate leakage | ±300 nA max |
| Производитель | Jiangsu Donghai Semiconductor |
| Vce sat 125C | 2.15V @ 600A |
| Vce sat 150C | 2.25V @ 600A |
| Current pulsed | 1200A |
| Ntc thermistor | B 25 50: 3375 K; B 25 100: 3433 K; Resistance 25C: 5 kΩ; Tolerance r100: ±5%; Power dissipation 25C: 60 mW max |
| Соотв. RoHS | Да |
| Voltage ce max | 1200V |
| Gate voltage max | ±25V |
| Stray inductance | 26 nH |
| AEC-Q101 | Да |
| Baseplate material | Cu |
| Flatness baseplate | 0.3 mm |
| Gate threshold max | 6.5V |
| Gate threshold min | 5.0V |
| Gate threshold typ | 5.7V |
| Mounting torque m5 | 3.0-6.0 N·m |
| Mounting torque m6 | 3.0-6.0 N·m |
| Switching times 25C | Tf: 128 ns; Tr: 175 ns; Td(вкл): 436 ns; Td(выкл): 973 ns |
| Температура хранения | -40°C to 125°C |
| Switching times 150C | Tf: 374 ns; Tr: 226 ns; Td(вкл): 374 ns; Td(выкл): 1036 ns |
| Breakdown voltage 25C | 1200V @ 0.25mA |
| Collector leakage 25C | 5 µA typ, 100 µA max @ 1200V |
| Изол. напр. RMS | 3500V @ 50Hz, 1min |
| Рабочая температура | -40°C to 150°C |
| Breakdown voltage 125C | 1425V @ 1mA |
| Collector leakage 125C | 500 µA typ |
| Collector leakage 150C | 5 mA max |
| Input capacitance ciss | 30 nF |
| Switching energies 25C | Eon: 69 mJ; Ets: 151 mJ; Eoff: 82 mJ |
| Switching energies 150C | Eon: 123 mJ; Ets: 227 mJ; Eoff: 104 mJ |
| Thermal resistance igbt | 0.033 °C/W |
| Temperature junction max | 175°C |
| Thermal resistance diode | 0.065 °C/W |
| Diode dc blocking voltage | 1200V |
| Diode peak reverse voltage | 1200V |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Internal isolation material | Si3N4 ceramics |
| Short circuit withstand time | 10 µs @ VGE=15V, VCC=600V, Tj=150°C |
| Diode average forward current | 600A |
| Diode forward voltage typ 25C | 1.87V @ 600A |
| Diode forward voltage typ 125C | 1.85V @ 600A |
| Diode forward voltage typ 150C | 1.82V @ 600A |
| Diode reverse recovery time 25C | 746 ns |
| Diode reverse recovery time 150C | 1312 ns |
| Diode reverse recovery charge 25C | 52 µC |
| Diode reverse recovery energy 25C | 19 mJ |
| Reverse transfer capacitance crss | 1.6 nF |
| Diode reverse recovery charge 150C | 129 µC |
| Diode reverse recovery energy 150C | 47 mJ |
| Diode peak reverse recovery current 25C | 122 A |
| Diode repetitive peak surge current 1ms | 1200A |
| Diode peak reverse recovery current 150C | 164 A |
| Diode non repetitive peak surge current 10ms | 3000A |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?