Документация
DGD450H120L2T, IGBT модуль 1200В 450A полумост ED =DFI450HF12I4ME1
У поставщика
ПроизводительWXDH
У поставщиков
10 шт.
Норм. уп.: 4
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:10 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 4
Минимальная партия: 40 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 10 660,50 |
| от 4 | 9 985,44 |
Описание
IGBT модуль DGD450H120L2T от WXDH выполнен в корпусе EconoDUAL3 для монтажа THT. Модуль рассчитан на напряжение 1200 В и ток 450 А, топология — полумост, изоляция 4000 В RMS. Применяется в промышленной автоматике, преобразователях частоты и мощных источниках питания.
Технические характеристики
| Тип | IGBT Module |
| Корпус | EconoDUAL3 |
| Тип монтажа | THT |
| Топология | Half bridge |
| I2t diode | 3600 A²s |
| Ntc b25 50 | 3375 K |
| Gate charge | 7.1 μC |
| Ntc b25 100 | 3433 K |
| Артикул | DGD450H120L2T |
| Fall time 25c | 272 ns |
| Rise time 25c | 76 ns |
| Fall time 150c | 447.2 ns |
| Rise time 150c | 99.2 ns |
| Соотв. RoHS | Да |
| Stray inductance | 27 nH |
| Capacitance input | 72 nF |
| Напр. изоляции | 4000V RMS |
| Baseplate material | Cu+Ni |
| Capacitance output | 3.8 nF |
| Ntc resistance 25c | 5 kΩ |
| Turn on energy 25c | 20.7 mJ |
| Internal insulation | Basic insulation, improved Al2O3 ceramic |
| Ток утечки 25°C | 100μA |
| Темп. хранения | -40 to 120°C |
| Turn off energy 25c | 53.5 mJ |
| Turn on energy 150c | 38.9 mJ |
| Current collector dc | 450A |
| Gate leakage current | ±100nA |
| Ток утечки 150°C | 5.0mA |
| Turn off energy 150c | 70.3 mJ |
| Current diode average | 400A |
| Current short circuit | 1000A |
| Ntc power dissipation | 60 mW |
| Turn on delay time 25c | 267.2 ns |
| Turn off delay time 25c | 690 ns |
| Turn on delay time 150c | 240.8 ns |
| Импульсный ток коллектора | 1200A |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Mounting torque heatsink | 3.0-6.0 N·m (M5) |
| Turn off delay time 150c | 749.5 ns |
| Voltage gate emitter max | ±20V |
| Diode forward voltage 25c | 1.75V |
| Mounting torque terminals | 2.5-5.0 N·m (M6) |
| Индекс трекингостойкости | >175 |
| Diode forward voltage 150c | 1.8V |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 6.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 5.0V |
| Тип. пороговое Uзи | 5.6V |
| Total switching energy 25c | 74.2 mJ |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Total switching energy 150c | 109.2 mJ |
| Capacitance reverse transfer | 0.42 nF |
| Current diode repetitive peak | 900A |
| Напряжение коллектор-эмиттер макс. | 1200V |
| Junction temperature operation | -40 to 150°C |
| Diode reverse recovery time 25c | 560 ns |
| Diode reverse recovery time 150c | 1000 ns |
| Diode reverse recovery charge 25c | 33 μC |
| Diode reverse recovery energy 25c | 10.6 mJ |
| Diode reverse recovery charge 150c | 96 μC |
| Diode reverse recovery energy 150c | 30.9 mJ |
| Diode peak reverse recovery current 25c | 133 A |
| Collector emitter saturation voltage 25c | 1.75V |
| Diode peak reverse recovery current 150c | 173 A |
| Thermal resistance junction to case igbt | 0.105 °C/W |
| Collector emitter saturation voltage 150c | 2.20V |
| Thermal resistance junction to case diode | 0.14 °C/W |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 450 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?